ICS77.150.99 H 63
YS
中华人民共和国有色金属行业标准
YS/T 1025—2015
电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材
High-purity tungsten and tungsten alloy sputtering target used
inelectronicfilm
2015-04-30发布
2015-10-01实施
发布
中华人民共和国工业和信息化部 中华人民共和国有色金属
行业标准
电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材
YS/T1025—2015
*
中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号(100029) 北京市西城区三里河北街16号（100045)
网址：www.gb168.cn 服务热线：400-168-0010
010-68522006
2016年1月第一版
*
书号：155066·2-29184
版权专有 侵权必究 YS/T1025—2015
前言
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243)提出并归口。 本标准起草单位：宁波江丰电子材料股份有限公司、有研亿金新材料有限公司、北京天龙钨钼科技
股份有限公司、株洲凯特实业有限公司、西安方科新材料科技有限公司
本标准主要起草人：姚力军、王学泽、丁照崇、张涛、扶元初、袁海军、郑文翔、宋佳、苏国平、钱红兵、 袁洁、王兴权、张玉利、王越、杜铁路。
I YS/T1025—2015
电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材
1范围
本标准规定了电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同)等内容
本标准适用于电子薄膜用高纯及钨合金溅射靶材，以下简称高纯钨及钨合金靶
规范性引用文件
2
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1031 产品几何技术规范（GPS）表面结构轮廓法表面粗糙度参数及其数值 GB/T 1804 一般公差未注公差的线性和角度尺寸的公差 GB/T 3850 致密烧结金属材料与硬质合金密度测定方法 GB/T 4324.23 钨化学分析方法第 第23部分：硫量的测定 燃烧电导法和高频燃烧红外吸收法 GB/T 4324.25 钨化学分析方法 第25部分：氧量的测定 脉冲加热惰气熔融-红外吸收法 GB/T4324.26 钨化学分析方法 第26部分：氮量的测定 脉冲加热惰气熔融-热导法和奈氏试
剂分光光度法
GB/T4324.27 钨化学分析方法 第27部分：碳量的测定 高频燃烧红外吸收法 GB/T 6394 金属平均晶粒度测定法 GB/T 8651 金属板材超声波板探伤方法 YS/T 837 溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法 YS/T900 高纯钨化学分析方法痕量杂质元素的测定 电感耦合等离子体质谱法 YS/T 901 高纯钨化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法
3要求
3.1产品分类 3.1.1产品按外形分为圆形、矩形和异形（如三角形等）。 3.1.2靶材的背板为铜及铜合金或铝及铝合金。 3.1.3根据合金材料不同，分为纯钨靶、钨钛合金靶、钨硅合金靶三种靶材。 3.1.4产品按化学成分分为W-99.999、WTi-99.9、WTi-99.95、WTi-99.99、WTi-99.995、WTi-99.999、 WSi-99.99、WSi-99.999八个牌号。
表示方法和标记示例如下：
产品纯度产品成分
示例：纯度为99.999%的高纯钨靶，表示为W-99.999
1 YS/T1025—2015
3.2 化学成分
高纯钨靶的成分及杂质元素要求应符合表1规定，高纯钨钛靶的成分及杂质元素要求应符合表2 规定，高纯钨硅靶的成分及杂质元素要求应符合表3规定。需方如有特殊要求时，由供需双方商定，并在订货单（或合同)中注明。
表1 高纯钨靶的化学成分
牌号
非气体杂质含量/×10-°，不大于
Al 1 Ni 1 F 0.1 0.000 5 0.000 5
Bi 0.1 Sn 1 Th
Cr 1 Li 0.5
Fe 1 K 0.1
Mn 0.5 Si 0.5
B 0.1 Pb 0.1 U
Ca 0.5 Zn 0.5
Co 0.5 Ti 0.5
Cu 1 Na 0.1
W-99.999
气体杂质含量/×10-6，不大于 H
N 50
c 50
0 100
s 10
100
注：钨的质量分数为100%减去表中非气体杂质实测质量分数总和的余量（不含C、N、O、H、S)。
表 2 高纯钨钛靶牌号及对应的化学成分
牌号纯度/%，不小于
WTi-99.9 WTi-99.95 WTi-99.99 WTi-99.995 WTi-99.999 99.9
99.95
99.995
99.99 余量
99.999
W Ti Al Ca Cr Cu Fe Mg Mn Mo Ni Si Zr V Li
合金元素/%
(5~25)±0.05
5 2 5 1 15 1 5 2 5 3 2 1 0.01
3 1 3 1 5 1 3 2 2 2 2 1 0.01
20 10 15 5 100 10 30 10 10 10 10 10 1
15 5 10 5 50
10
6 1 30 I 15 3 L) L3 3 3 0.01
非气体杂质含量 ×10-，不大于
20 17 10 10 5 5 1
2 YS/T1025—2015
表2（续)
牌号
WTi-99.9 WTi-99.95 WTi-99.99 WTi-99.995 WTi-99.999
Na K P F cI U Th c N 0 H s
1 1 5 3 5 0.01 0.01 100 100 1 500 100 10
0.07 0.07 2 0.1 1.5 0.001 0.001 50 50 800 50 2
1 1 5 5 10 0.01 0.01 100 100 1 500 100 20
1 1 3 0.1 3 0.002 0.002 100 50 1 000 50 15
1 1 2.5 0.1 1.5 0.002 0.002 50 50 800 50 2.5
非气体杂质含量 ×10-"，不大于
气体杂质含量 ×10-"，不大于
杂质总含量
100
(不包含C、N、O、H、S)/X10-",
1 000
50
10
500
不大于
注：钨钛的质量分数为100%减去表中非气体杂质实测质量分数总和的余量（不含C、N、O、H、S)
表3 高纯钨硅靶牌号及对应的化学成分
牌号纯度/%，不小于
WSi-99.99 99.99
WSi-99.999 99.999
余量 (20~40)±0.05
W si AI Cr Cu Fe Ni Na K U Th c 0
合金元素/%
6 5 2 5 5 2 2 0.003 0.003 50 1 000 100
- 1 1 1 1 0.05 0.05 0.001 0.001 50 300 10
非气体杂质含量/×10-°，
不大于
气体杂质含量/×10-6，
不大于
杂质总含量
(不包含C、NO、H、S)/×10-°,不大于注：钨硅的质量分数为100%减去表中非气体杂质实测质量分数总和的余量（不含C、N、O、H、S)。
3 YS/T1025—2015
3.3 微观结构 3.3.1 高纯钨靶的晶粒尺寸
高纯钨靶的晶粒尺寸应符合表4规定，并且晶粒大小分布均匀。
表 4 高纯钨靶晶粒尺寸要求
晶粒要求
高纯钨靶晶粒
平均值/μm ≤100
最大值/μm ≤200
3.3.2 高纯钨钛靶的微观结构
高纯钨钛靶是钨和钛两种金属粉末的密实堆积，未出现明显的晶粒结构，微观结构可以定义为两部分：一部分是钨颗粒，另一部分是钛颗粒。两者的颗粒大小应符合表5规定，并且颗粒大小分布均匀。
表5 高纯钨钛靶微观结构要求
颗粒要求
高纯钨钛靶钨颗粒钛颗粒
平均值/um
最大值/μm ≤15 ≤120
≤5 ≤45
3.3.3 高纯钨硅靶的微观结构
高纯钨硅靶是钨硅化物和硅两种物相的密实堆积，未出现明显的晶粒结构，微观结构可以定义为两部分：一部分是钨硅化物颗粒，另一部分是硅颗粒。两者的颗粒大小应符合表6规定，并且颗粒大小分布均匀。
表6 高纯钨硅靶微观结构要求
颗粒要求
高纯钨硅靶
平均值/μm ≤20 ≤10
最大值/μm ≤100
钨硅化物颗粒
硅颗粒
≤80
3.4 内部质量
高纯钨及钨合金靶内部不应有分层、疏松、夹杂和气孔等缺陷。高纯钨及钨合金靶致密度应符合表7 规定。
表7 高纯钨及钨合金靶致密度要求
致密度要求高纯钨钛靶 ≥98
性能参数相对密度/%
高纯钨靶 ≥99
高纯钨硅靶
≥99
A