ICS 77.150.30 H 62
YS
中华人民共和国有色金属行业标准
YS/T819—2012
电子薄膜用高纯铜溅射靶材
High-purity sputtering copper target used in electronic film
2013-03-01实施
2012-11-07发布
发布
中华人民共和国工业和信息化部 YS/T819—2012
前言
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243)归口。 本标准起草单位：宁波江丰电子材料有限公司、有研亿金新材料股份有限公司。 本标准主要起草人：王学泽、宋佳、高岩、尚再燕、赵永善、袁洁、熊晓东。
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建筑321---标准查询网 www. jz.321. net YS/T819—2012
电子薄膜用高纯铜溅射靶材
1范围
本标准规定了电子薄膜用高纯铜溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及合同（或订货单）内容。
本标准适用于电子薄膜制造用的各类高纯铜溅射靶材（以下简称高纯铜靶）。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T14265 金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则 GJB1580A 变形金属超声检验方法 YS/T347 铜及铜合金平均晶粒度测定方法 YS/T837 溅射靶材-背板结合质量超声波检测方法
3要求
3.1产品分类
高纯铜靶分类按照应用背景分为：半导体布线用高纯铜靶、半导体封装用高纯铜靶、平板显示器用高纯铜靶和太阳能电池用高纯铜靶。 3.2成分要求
根据高纯铜溅射靶材的用途，电子薄膜用高纯铜溅射靶材的成分及杂质元素要求应符合表1规定。
表1高纯铜靶材化学成分表
牌号 Cu含量/% 不小于
4N
5N
6N
4N5
99.99
99.995 25
99.999
99. 999 9
5
Ag Al As Bi Ca Cd CI
0. 3 0. 1 0. 02 0. 02 0. 02
0. 5 0. 5 1 0. 5 0. 1
-
20 20
5 1
杂质含量/10-6，
不大于
1
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表1(续)
牌号 Cu含量/% 不小于
4N 99. 99 一一 1 30 一 10 一一 10 3 10 10
4N5
6N 99. 999 9
5N
99.995 - 一 1 10 I 0. 5 一 - 10 3 5 4 3 一 2 2 - -
99.999 0. 3 0. 05 一 0. 5 一 0. 1
Co Cr 山 Fe K Mn Na Nb Ni P Pb Sb Se si Sn Te Th U U+Th Zn s c N 0
0. 02 一 0. 2 0. 02 一 0. 02 一 0. 1 0. 02
- 0. 5
0. 1 0. 05 0. 1 0. 1 0. 5 0. 1 0. 1 一一一 0. 1 1 10 5 5 0. 001
杂质含量/10-‘，
不大于
0. 02 一
一 10 - 一 -
- 一 0. 000 5 0. 000 5 0. 001
-
-
10 30 一一 30 0. 01
1 15 20 10 5 0. 005
一
0. 05 1 1 1 0. 0001
气体杂质含量/10-，
不大于
杂质总含量(不包含C、H、O、N)/%
不大于
注1：客户对元素有要求的，由供需双方协商。 注2：高纯铜靶的含量为100%减去表中杂质实测总和的余量（不含C、O、N、H)。
3.3 高纯铜靶晶粒度
高纯铜靶的晶粒度应符合表2规定，并且晶粒分布均匀。
2
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表2 高纯铜靶晶粒度要求
晶粒要求
牌 号
平均值/μm
最大值/μm ≤150 ≤150 ≤150 ≤100
4N 4N5 5N 6N
≤100 ≤100 ≤100 <50
注：需方如有特殊要求时，由供需双方商定。
3.4内部质量
高纯铜靶坏内部不应有分层、疏松、夹杂和气孔等缺陷，由供方生产工艺保证。需方有特殊要求时按GJB1580A执行。 3.5焊接质量
高纯铜靶的焊接分为钎焊和非钎焊。焊接质量应符合表3的规定，需方如有特殊要求时，由供需双方商定。
表3 焊接质量要求焊接结合率 ≥95% ≥98%
焊接方式钎焊非钎焊
单个未焊合间隙面积/总面积
<2% <1%
3.6 外形尺寸与允许偏差 3.6.1高纯铜靶按照形状通常可分为圆形、矩形和三角形等，按照结构方式可分为单体型和焊接型两类，靶材的背板可包括铜及铜合金、铝及铝合金等。 3.6.2半导体用（布线与封装)高纯铜靶，其尺寸、规格及结构方式与用户使用的溅射机台类型有关，一般由客户提供图纸，经双方确认后，方可生产。 3.6.3平板显示器及太阳能用高纯铜靶，靶材不平度<1.5（mm/m），客户有特殊要求按客户要求。
注：需方有特殊要求时，由供需双方商定。 3.7外观质量
高纯铜靶表面应清洁光滑，无指痕，无油污和锈蚀，应无拉伸润滑痕迹，颗粒附加物和其他沾污，应无凹坑、划伤、裂纹、凸起等缺陷。 3.8 内包装质量
高纯铜靶应经过全面清洗，真空干燥后每片单独真空包装。真空袋封口要平整无贯通，真空袋体无漏洞，无真空泄露。
试验方法
4
4.1 高纯铜靶化学成分的分析方法 4.1.1 金属杂质元素、F、S、P的分析方法采用辉光放电质谱法测定，或由供需双方协商确定。
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4.1.2气体元素H、O、N、C的分析方法按照GB/T14265的规定执行。 4.2高纯铜靶的晶粒度检验
按照YS/T347进行。 4.3高纯铜靶内部质量的检验
按GJB1580A规定进行。 4.4高纯铜靶焊合质凸的检验
按YS/T837的规定进行。 4.5外形尺寸检测方法 4.5.1半导体用高纯铜靶的几何尺寸通过三维坐标测定仪（CMM)，按照加工图纸标识尺寸进行测定，测定精度为0.001mm。 4.5.2平板显示器及太阳能用高纯铜靶按照图纸要求，采用卡尺、平面度仪、塞规等进行检测，用户有特殊要求时，可采用CMM进行检测。 4.6外观质量及内包装质追
外观质量及内包装质量用目视检查，如发现异常现象，用放大镜或数码显微镜进行鉴别。
5检验规则
5.1检验和验收 5.1.1产品应由供方检验部门进行检验，保证产品质量符合本标准或合同（或订货单）的规定，并填写质量证明书。 5.1.2需方应对收到的产品按本标准的规定进行检验。如检验结果与本标准或合同（或订货单）的规定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。如需仲裁，仲裁取样应在需方由供需双方共同进行。 5.2组批
产品应成批提交验收。每批应由同生产批、同种成分和规格的产品组成。
5.3检验项目、取样位置和取样数口 5.3.1高纯铜靶出广前必须进行全面检测。检验项目、取样位置、数量应符合表4规定。
表4高纯铜靶检测项目、取样及数量
检验项目成分检查晶粒度内部质量焊接质量
取样位置铸锭缩孔下 5. 3. 2 焊接前焊接后
取样数量 1个/锭 1个/批逐件逐件
要求的章条号
检验的章条号
3. 2 3. 2 3. 3 3. 4 3. 5
4. 1. 1 4. 1. 2 4. 2 4. 3 4. 4
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表4（续）取样数量
检验项目外形尺寸外观质量包装质量
取样位置成品成品成品
检验的章条号
要求的章条号
逐件逐件逐件
4. 5 4. 6 4. 6
3. 6 3. 7 3. 8
5.3.2 晶粒度测定取样
在生产过程中，为了不破坏靶的整体性，晶粒度的检测在高纯铜靶焊接前进行。 a）圆形靶坏在圆周的边缘对称位置进行取样，取样示意图如图1所示。
样品1
样品2-
图1 圆形高纯铜靶坏分析取样示意图
b）矩形靶坏在四周的边缘位置进行取样，取样示意图如图2所示。
样品4 口
样品2
口样品1
口样品3
图2矩形高纯铜靶坏分析取样示意图
5.4检验结果判定 5.4.1化学成分检测不合格时，则判该批靶材不合格。 5.4.2晶粒度抽检合格，判同批产品全部合格；抽检不合格时，判该件不合格；再从同批产品中加倍抽样进行重复检验，若重复检验全部合格，判该批其余产品合格；若重复检验不合格，则判整批产品不合格。 5.4.3内部质量检测、焊接质量检测、尺寸检测、外观质量检测不合格时，判该件产品不合格。 5.4.4 包装质量不合格时，判该件产品不合格，可进行再次包装。
6标志、包装、运输、贮存、质量证明书
6.1标志 6.1.1 在检验合格的靶材上，将生产厂标志、成分及生产批号刻在产品指定位置。 6.1.2在每个外包装上贴纸质标贴，内容包括：
a) 制造厂名称与地址； b) 公司标志； c) 产品名称； d) 纯度；
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e) 客户名称； f) 订单编号； g) 物料缩号； h) 生产批号； i) 出厂日期； j) 其他要求内容。
6.2包装 6.2.1高纯铜靶的清洗、干燥及内包装应在洁净间内进行。 6.2.2 外包装采用纸盒或中空盒包装。包装盒内应有防碰撞措施。将质量证明书用塑封袋装好后粘贴于包装盒上。 6.2.3包装产品应保存于清洁的环境中。 6.3运输与贮存
运输及贮存过程中，应注意防震、防潮、防压、防止二次污染。 6.4 质量证明书
每批产品应附有质量证明书，注明： a) 供方名称、地址、电话、传真； b) 产品名称； c) 纯度； d) 需方名称； e) 订单编号； f) 需方编号； g) 生产批号； h) 分析检测结果和品质部门负责人的合格判定； i) 出厂日期； j) 其他。
合同（或订货单）内容
订购本标准所列产品的合同（或订货单）内应包括下列内容： a）产品名称； b）靶材纯度； c）化学成分、物理性能、表面质量等特殊要求； d）规格； e) 数量； f) 标准编号； g) 其他需要协商或增加标准以外要求的内容。
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