GB/T 40109-2021/ISO 17560:2014
表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度剖析方法
Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of boron in silicon(ISO 17560:2014,IDT)
2021-05-21发布
2021-12-01实施
目 次
前言…………………………………………………………………………………………………………1
引言………………………………………………………………………………………………………… 1
1 范围 ……………………………………………………………………………………………………… 1
2规范性引用文件…………………………………………………………………………………………1
3 符号和缩略语……………………………………………………………………………………………1
4原理………………………………………………………………………………………………………2
5 参考物质 ………………………………………………………………………………………………… 2
5.1 用于校准相对灵敏度因子的参考物质…………………………………………………………….2
5.2 用干校准深度的参考物质 ………………………………………………………………………… 2
6 仪器 ……………………………………………………………………………………………………… 2
6.1 二次离子质谱仪 ……………………………………………………………………………………2
6.2 触针式轮廓仪 ……………………………………………………………………………………… 2
6.3 光学干涉仪 ………………………………………………………………………………………… 2
7 样品………………………………………………………………………………………………………2
8 步骤………………………………………………………………………………………………………2
8.1 二次离子质谱仪的调整 …………………………………………………………………………… 2
8.2 优化二次离子质谱仪的设定 ……………………………………………………………………… 3
8.3 进样 ………………………………………………………………………………………………… 3
8.4 检测离子 …………………………………………………………………………………………… 3
8.5 样品检测 ……………………………………………………………………………………………3
8.6校淮………………………………………………………………………………………………… 4
9 结果表述…………………………………………………………………………………………………5
10 测试报告…………………………………………………………………………………………………5
附录A《资料性） 针式表而轮廓仅测试统计报告 ………………………………………………………6
参考文献……………………………………………………………………………………………………… 8