ICS 29.045 H 80
YS
中华人民共和国有色金属行业标准
YS/T 9852014
硅抛光回收片
Polished reclaimed siliconwafers
2015-04-01实施
2014-10-14发布
发布
中华人民共和国工业和信息化部 YS/T985—2014
前言
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准修改采用SEMIM38-0307《硅抛光回收片规范》，本标准与SEMIM38-0307相比存在技术
性差异，这些差异涉及的条款已通过在其外侧页边空白位置的垂直单线（I)进行了标识。内容与 SEMIM38-0307的主要差别在于：
仅采用了SEMIM38-0307中关于100mm、125mm、150mm和200mm硅抛光回收片的内容，删除了原标准中关于50.8mm、76.2mm和300mm直径的硅抛光回收片内容（包括附录 1和附录2）。 将SEMIM38-0307中表1和表2中关于100mm、125mm、150mm和200mm硅抛光回收
片的规范合并，形成本标准中的表1。 根据我国标准编写的习惯进行排版，并将技术要求表格提前。
-
本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243)归口。 本标准负责起草单位：浙江金瑞泓科技股份有限公司。 本标准参加起草单位：有研半导体材料股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股
份有限公司、上海合晶硅材料有限公司。
本标准主要起草人：何良恩、刘丹、许峰、张海英、孙燕、曹孜、王飞尧、楼春兰、徐新华。
I YS/T985—2014
硅抛光回收片
1范围
本标准规定了硅抛光回收片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于用户提供的或来源于第三方的硅回收片（主要包括100mm、125mm、150mm和 200mm单面或双面抛光硅片、未抛光硅片或外延硅片）经单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于机械、炉处理、颗粒和光刻中的监控片。另外，使用方需注意硅回收片的热历史、体沾污和表面沉积物情况。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558 硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法 GB/T2828.1 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12962 硅单晶 GB/T12964 硅单晶抛光片 GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T14144 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T19922 硅抛光片局部平整度非接触式检测方法 GB/T24575 硅和硅外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱测试方法
1 YS/T985—2014
GB/T24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T26066 硅晶片上浅腐蚀坑检测的方法 GB/T26067 硅片切口尺寸测试方法 GB/T26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光导衰减测试方法 GB/T29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 YS/T26 硅片边缘轮廊检验方法 SEMIMF1451 全自动无接触扫描法测量硅片峰谷差的方法（Testmethodformeasuringsorion
silicon wafers byautomated non-contact scanning)
3 术语和定义
3.1 GB/T12964中定义的相关术语适用于本文件。 3.2 其他相关的一些术语定义在GB/T14264中。
4 要求
4.1产品分类
硅抛光回收片按应用分为机械用、炉处理用、颗粒用和光刻用的监控片。 4.2 牌号
硅抛光回收片的牌号表示应符合GB/T14844的规定 4.3技术要求 4.3.1 100mm、125mm、150mm和200mm硅抛光回收片的技术要求应符合表1的规定。
表 1 机械用
项目
炉处理用
颗粒用
光刻用
1.0 一般特性 1.1 1.2 1,3 1.4 1.5 对合格质量区的标称边缘去除距离 2.0 电学特性 2.1
生长方法晶向导电类型掺杂剂
按供货方按供货方按供货方按供货方
未规定
客户规定
电阻率
客户规定未规定未规定未规定
2.2 2.3 2.4 3.0 化学特性 3.1 2
径向电阻率变化(RRG)
电阻率条纹少数载流子寿命
氧含量
未规定
按供货方
未规定 YS/T985--2014
表1 (续)
项目氧含量径向变化
炉处理用
颗粒用
光刻用
机械用未规定 按供货方未规定
未规定未规定
3.2 3.3 4.0 结构特性 4.1 4.1.1 4.1.2 4.1.3 4,1.4 4,1.5 4,1.6 4.2 4,2.1 4.2.2 5.0 晶片制备特性 5.1
碳含量
按供货方
晶体完整性
未规定
无
位错蚀坑密度
未规定未规定未规定
无无无
滑移系属结构李晶旋涡浅蚀坑
未规定未规定未规定未规定
氧化诱生缺陷
氧化层错(OSF) 氧化物沉淀
品片ID标志正表面薄膜洁净区非本征吸除背封
客户规定
未规定未规定未规定
无无无
5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 6.0 机械特性
未规定
无
未规定
无无
未规定未规定
退火
未规定
100mm±0.5mm 125mm±0.5mm 150mm±0.5mm 200mm±0.5mm
直径
6.1
按供货方按供货方按供货方按供货方未规定
6.2 6.3 6.4 6.5 6.6
主参考面/切口尺寸主参考面/切口取向副参考面尺寸（如果需要）副参考面位置（如果需要）
边缘轮廊
100mm：432μm~675μm 125mm；533μm~675μm 150mm：533μm~725μm 200mm：600μm~775μm
6.7
厚度
未规定
6.8
总厚度变化(TTV)
3 YS/T985—2014
表1(续)
光刻用
项目弯曲度葱曲度峰-谷差总平整度局部平整度
机械用
炉处理用
颗粒用
未规定未规定
6.9 6.10 6.11 6.12 6,13 7.0 正表面金属沾污 7.1 7.2 7.3 7.4 7.5 7.6 7.7 7.8 8.0 正表面质量 8.1 8.1.1
未规定未规定未规定
客户规定客户规定客户规定
未规定未规定未规定未规定未规定未规定未规定未规定
钠铝钾铬铁镍铜锌
未规定未规定未规定未规定未规定 客户规定未规定 客户规定未规定
客户规定客户规定客户规定客户规定
客户规定客户规定
未规定
划伤未规定未规定未规定
≤2条 ≤20mm 无 ≤0.10×直径
条数（对100mm和125mm）
8.1.2 划伤累计长度（对100mm和125mm） 8.1.3 重划伤（对150mm和200mm）总长度 8.1.4 轻微划伤（对150mm和200mm）总长度 未规定
坑雾
8.2 8.3 8.4 8.4,1 8.4.2 8.5 8.6 8.7 8.8 8.9 8.10 8.11 8.12 8.13 4
客户规定客户规定
未规定未规定
局部光散射体未规定未规定未规定未规定未规定未规定未规定未规定未规定未规定未规定
对100mm和125mm 对150mm和200mm
≤0.19/cm（@≥客户规格尺寸）
≤0.20/cm（@≥0.2μm)
区域沾污崩边裂纹鸦爪火山口凹坑沟槽小丘橘皮
无无无无无无无无无 YS/T985—2014
表1(续)
项目
机械用 炉处理用 颗粒用
光刻用
无无客户规定客户规定
未规定
8.14 9.0 背表面质量 9.1 9.2 9.3 9.4 9.4.1
刀痕
崩边粗糙度局部光散射体
未规定未规定未规定
划伤未规定
客户规定客户规定 ≤0.25×直径
条数(对100mm和125mm)
9.4.2 划伤累计长度（对100mm和125mm） 未规定
重划伤总长度轻微划伤总长度
9.4.3 9.4.4 10.0 其他特性 10.1
未规定
未规定
边缘状况 150 mm 200 mm
未规定
未规定
客户规定
4.3.2 180nm设计尺寸用200mm硅抛光回收片的技术要求应符合表2的规定。
表 2
180nm用200mm硅抛光回收片
项 目
1.0 一般特性 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
生长方法晶向导电类型掺杂剂
直拉法或磁场直拉法
(100) P 未规定 3 mm
对合格质量区的标称边缘去除距离
2.0 电学特性 2.1 2.2 2.3 3.0 化学特性 3.1 3.2 3.3 3.4 4.0 结构特性
电阻率径向电阻率变化(RRG) 少数载流子寿命
0.5a-cm~50.00·cm
未规定未规定
未规定未规定未规定未规定
氧含量氧含量径向变化电阻率条纹碳含量
5