GB/T 14139-2019 代替 GB/T 14139—2009
硅外延片
Silicon epitaxial wafers
2019-06-04 发布
2020-05-01 实施
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 14139—2009《硅外延片》。本标准与GB/T 14139 -2009相比，除编辑性修改外主要技术变化如下：
——修改了适用范围，将“本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的n型外延层（N/N* ）和在p型硅抛光片衬底上生长的P型外延层（P/P+）的同质硅外延片。产品主要用于制作硅半导体器件。其他类型的硅外延片可参照适用。”改为“本标准适用于在直径不大于150 mm的N型和P型硅抛光片衬底上生长的硅外延片”（见第1章,2009年版的第1章）。
——规范性引用文件中删除了 GB/T 12962、GB/T 14145、YS/T 24,增加了 GB/T 1550、GB/T 1555、GB/T 14844.GB/T 19921.GB/T 24578. YS/T 28,SEMI M85（见第 2 章，2009年版的第2章）。
——增加了経术语和定义”（见第3章）。
——将产品的牌号和分类单列一章，并修订了牌号表示方法和外延层的晶向（见第4章,2009年版的 3.1）。
——修订了外延片用衬底材料的要求（见5.1,2009年版的3.2）.
——增加了外延层的导电类型、晶向的要求、试验方法、检验规则等（见5.2.1、5.2.2、6.1、6.2、第7章*
——外延层电阻率由中心电阻率修订为平均电阻率，并修订了电阻率、电阻率允许偏差及径向电阻率变化的要求（见5.2.3,2009年版的3.3）.
——外延层厚度由中心厚度修订为平均厚度,并修订了厚度、厚度允许偏差及径向厚度变化的要求（见5.2.4,2009年版的3.4）。
——增加了外延层纵向电阻率分布及过渡区宽度的要求、试验方法、检验规则等（见5.2.5、6.5、第7章）。
——修改了外延层位错密度的要求，由“不大于500个/co?”修订为“应不大于50 cm-2”（见5.2.6,2009 年版的 3.5.1）.
——增加了表面金属的要求、试验方法及检验规则（见5.2.7、6.7、第7章）。
——删除了大点缺陷的要求（见2009年版的3.6.1）。
——删除了“表面缺陷区域系指直径不大于76.2 mm的硅外延片去除边缘2 mm环形区域，直径100 mm、125 mm和150 mm硅外延片去除边缘3 mm环形区域的整个表面”（见2009年版的3.6.2）e
——删除了“表面点状缺陷包括符合GB/T 14264的钉、粘附的颗粒、突起物、夹杂、小丘和棱锥。使用清洗技术能除去的颗粒不属于点状缺陷”（见2009年版的3.6.3）.
——删除了“崩边是指外延片边缘在径向的缺损深度大于0.3 mm的损伤。最大崩边径向深度不大于0.5 mm,累计崩边最大周边长不大于2.5 mm”（见2009年版的3.6.4）。
——删除了“雾的定义见GB/T 14264"（见2009年版的3.6.5）.
——删除了“沾污包括色斑、手套印、尘埃、污迹和溶剂残留物”（见2009年版的3.6.6）0
——增加了组批、检验项目的要求（见7.2、7.3）。
——修改了包装要求（见8.1.1,2009年版的6.1.1）.