ICS 19.100 CCS J 04
GB
中华人民共和国国家标准
GB/T26641—2021/ISO24497-1:2020
代替GB/T26641—2011
无损检测 磁记忆检测 总体要求 Non-destructive testing-Magnetic memory testing-General requirements
(ISO 24497-1 :2020, Non-destructive testing—Magnetic memory testing
Part 1: Vocalbulary and general requirements, IDT)
2022-07-01实施
2021-12-31发布
国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
发布 GB/T26641—2021/ISO24497-1:2020
目 次
前言
m
范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义
总体要求检测对象检测设备检测准备 8 检测
5
6
检测报告 10安全要求及人员资质附录A（资料性）表面磁场分布标识方法的示例参考文献
9
10 GB/T26641—2021/ISO24497-1:2020
前言
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
本文件代替GB/T26641一2011《无损检测 』磁记忆检测总则》。与GB/T26641一2011相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
a) 修改了范围（见第1章，2011年版的第1章）； b) 修改和增加了规范性引用文件（见第2章，2011年版的第2章）； c) 修改和增加了术语（见第3章，2011年版的第3章）； d) 修改了方法概要（见第4章，2011年版的第5章）； e) 修改了检测对象的描述（见第5章，2011年版的第7章）； f) 修改了检测设备的要求（见第6章，2011年版的第8章）； g) 修改了检测准备的描述（见第7章，2011年版的第7章）； h) 修改了评价参数和流程，将原有的法向分量或切向分量扩展为三维分量（见8.1，2011年版的
第10章）； i) 增加了梯度中间值、梯度系数阅值获取方法及取值准则（见8.2、8.3）； j) 修改了检测记录与报告（见第9章，2011年版的第11章）； k） 修改了人员资格要求（见第10章，2011年版的第4章）。 本文件等同采用ISO24497-1：2020《无损检测磁记忆检测 第1部分：术语和总则》。 本文件做了下列最小限度的编辑性改动：
为与现有标准协调，将标准名称改为《无损检测磁记忆检测总体要求》。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国无损检测标准化技术委员会（SAC/TC56)提出并归口。 本文件起草单位：中国特种设备检测研究院、爱德森（厦门)电子有限公司、安徽华夏高科技开发有
限责任公司、清华大学、中国空气动力研究与发展中心、嘉兴市特种设备检验检测院、成都信息工程大学、北京工业大学、中冶建筑研究总院有限公司、山东科捷工程检测有限公司、洛阳LYC轴承有限公司。
本文件主要起草人：胡斌、王宝轩、沈永娜、沈功田、林俊明、李路明、李寰、魏东、潘金平、胡云、张亦良、 高广兴、张君娇、张迪、梁玉梅、陈翠丽。
本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为：
2011年首次发布为GB/T26641一2011，本次为第一次修订。
II GB/T26641—2021/ISO24497-1:2020
无损检测 磁记忆检测 总体要求
1范围
本文件规定了金属磁记忆（MMM)技术的无损检测（NDT）的术语和定义，以及应用该方法的总体
技术要求。
本文件规定的无损检测技术有以下目的：一确定铁磁物体磁力学状态的非均质性，检测缺陷引起的应力集中程度和金属微观结构不均匀
性边界；一确定具有表面磁场畸变的位置，以便进一步进行微观结构分析和/或无损检测和评价一被检对象的早期损伤诊断，评价其结构寿命；一通过磁性异质性对新的和已使用的检验对象进行快速分类，以进行进一步的检测；一磁记忆与其他无损检测方法或技术（超声波检测、X射线检测等）相结合可快速检测出最有可
能是缺陷的位置，从而提高无损检测效率；一一用于各类焊接接头的质量控制及其实施（包括摩擦焊和点焊）。具体应用见ISO24497-2。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
ISO 9712 2无损检测人员资格鉴定与认证（Non-destructivetesting一Qualificationandcertifica tion of personnel)
注：GB/T9445—2015无损检测人员资格鉴定与认证（ISO9712：2012，IDT） ISO/TS18173无损检测通用术语和定义（Non-destructivetesting—Generaltermsanddefini-
tions)
注：GB/T20737—2006无损检测通用术语和定义（ISO/TS18173：2005，IDT） ISO24497-2无损检测磁记忆第2部分：焊接接头检测（Non-destructivetesting一Metal
magnetic memory—Part 2: Inspection of welded joints)
3术语和定义
ISO/TS18173界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 ISO和IEC维护的标准化工作中使用的术语数据库网址如下： ——ISO在线浏览平台：https：//www.iso.org/obp； —IEC电工百科：http：//www.electropedia.org/。
3.1
金属磁记忆 metalmagneticmemory;MMM 铁磁性物体经历磁场变化和磁-机械效应累积作用后的磁状态。 注：对于给定的磁场（例如地磁场），在其制造过程或运行过程中形成的铁物体，由于影响磁畴分布3的各种环境
1 GB/T26641—2021/ISO24497-1:2020
因素，改变了其剩余磁化强度（例如：温度、机械载荷[o1017或材料的微观结构变化）。
3.2
表面磁场 5magnetic strayfield;SF 离开或进入零件表面且非有意磁化该零件的磁场。 注1：铁磁材料在其自身体积和周围空间中产生磁场。材料本身的磁化分布所产生的场称为表面磁场或其内的退
磁场。退磁场和表面磁场是几何相关的，当磁化强度不均匀或具有与外部或内部表面法向的分量时，表面磁场就会出现4]。表面磁场的高局部变化，类似于磁通泄漏，可以表明材料性能的不均匀性
注2：文献中使用的其他术语是，例如自发漏磁场、残余磁场、表面磁场、漏磁场、磁场密度或表面场。当用于无损检
测时，表面磁场是被动磁场测量的推荐术语，面漏磁定义了在检测之前或检测期间由于外部磁化放大的磁通量。
3.3
金属磁记忆检测 metal magnetic memory testing;MMM testing 通过测量和分析被检对象LIOs表面磁场L3.2分布且无需主动磁化的无损检测技术。 注：磁场敏感探头用于测量表面磁场分布。
3.4
表面磁场矢量 stray field vector H sF.i 采用被动磁场传感法测定的被检对象表面磁场在i方向（i=，y，2）上的分量。
3.5
表面磁场指示 strayfield indication;SFI 由高机械应力/应变梯度引起的SF（表面磁场）的偏离=6:10:1747。 注1：在具有局部磁导率变化的位置也形成SFI,这可能是由缺陷集中（例如引起的裂纹、点蚀）、金属组织中强异质
的边界、杂质、突然的几何变化(24]2)5E]、内部和外部表面[46)、与被检查物体的分离、不可通变形（位错密度高)和化学成分的变化(例如，沉积或浸出)等引起的。
注2：表面磁场指示不一定是缺陷的指示，需要解释以确定其相关性表面磁场指示取代应力集中区只在机械应力
集中的地方使用SCZ(例如尖角、裂纹尖端)]，见附录A。
3.6
表面磁场梯度 strayfieldgradient K sF 同一探头位置上，表面磁场随探头位置变化和/或时间变化的变化率。 注：表面磁场梯度，K.i，根据公式(2)和/或公式（3)计算。
3.7
表面磁场平均梯度 median strayfield gradient K med 根据公式（4)计算的测量线和/或测量线之间SF的平均斜率。 注1：它与被检对象的形状各向异性及其磁极化有关。如果被检对象初始工作状态的磁化状态未知，则平均梯度表
征被检对象磁状态的估计值。特别是SF法向分量常显示为正负值之间的特征曲线。 注2：周期（△t、时间相关)测量和/或被检对象工作条件之间中位梯度的变化，例如，在役状态和无工作载荷可能与
磁-机械效应有关。
3.8
磁指数magneticindex mi 用来评价SFI的SFI局部梯度与SFI平均梯度的比值，计算方法见公式（6）。
2 ICS 19.100 CCS J 04
GB
中华人民共和国国家标准
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无损检测 磁记忆检测 总体要求 Non-destructive testing-Magnetic memory testing-General requirements
(ISO 24497-1 :2020, Non-destructive testing—Magnetic memory testing
Part 1: Vocalbulary and general requirements, IDT)
2022-07-01实施
2021-12-31发布
国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
发布 GB/T26641—2021/ISO24497-1:2020
目 次
前言
m
范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义
总体要求检测对象检测设备检测准备 8 检测
5
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检测报告 10安全要求及人员资质附录A（资料性）表面磁场分布标识方法的示例参考文献
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10 GB/T26641—2021/ISO24497-1:2020
前言
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
本文件代替GB/T26641一2011《无损检测 』磁记忆检测总则》。与GB/T26641一2011相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
a) 修改了范围（见第1章，2011年版的第1章）； b) 修改和增加了规范性引用文件（见第2章，2011年版的第2章）； c) 修改和增加了术语（见第3章，2011年版的第3章）； d) 修改了方法概要（见第4章，2011年版的第5章）； e) 修改了检测对象的描述（见第5章，2011年版的第7章）； f) 修改了检测设备的要求（见第6章，2011年版的第8章）； g) 修改了检测准备的描述（见第7章，2011年版的第7章）； h) 修改了评价参数和流程，将原有的法向分量或切向分量扩展为三维分量（见8.1，2011年版的
第10章）； i) 增加了梯度中间值、梯度系数阅值获取方法及取值准则（见8.2、8.3）； j) 修改了检测记录与报告（见第9章，2011年版的第11章）； k） 修改了人员资格要求（见第10章，2011年版的第4章）。 本文件等同采用ISO24497-1：2020《无损检测磁记忆检测 第1部分：术语和总则》。 本文件做了下列最小限度的编辑性改动：
为与现有标准协调，将标准名称改为《无损检测磁记忆检测总体要求》。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国无损检测标准化技术委员会（SAC/TC56)提出并归口。 本文件起草单位：中国特种设备检测研究院、爱德森（厦门)电子有限公司、安徽华夏高科技开发有
限责任公司、清华大学、中国空气动力研究与发展中心、嘉兴市特种设备检验检测院、成都信息工程大学、北京工业大学、中冶建筑研究总院有限公司、山东科捷工程检测有限公司、洛阳LYC轴承有限公司。
本文件主要起草人：胡斌、王宝轩、沈永娜、沈功田、林俊明、李路明、李寰、魏东、潘金平、胡云、张亦良、 高广兴、张君娇、张迪、梁玉梅、陈翠丽。
本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为：
2011年首次发布为GB/T26641一2011，本次为第一次修订。
II GB/T26641—2021/ISO24497-1:2020
无损检测 磁记忆检测 总体要求
1范围
本文件规定了金属磁记忆（MMM)技术的无损检测（NDT）的术语和定义，以及应用该方法的总体
技术要求。
本文件规定的无损检测技术有以下目的：一确定铁磁物体磁力学状态的非均质性，检测缺陷引起的应力集中程度和金属微观结构不均匀
性边界；一确定具有表面磁场畸变的位置，以便进一步进行微观结构分析和/或无损检测和评价一被检对象的早期损伤诊断，评价其结构寿命；一通过磁性异质性对新的和已使用的检验对象进行快速分类，以进行进一步的检测；一磁记忆与其他无损检测方法或技术（超声波检测、X射线检测等）相结合可快速检测出最有可
能是缺陷的位置，从而提高无损检测效率；一一用于各类焊接接头的质量控制及其实施（包括摩擦焊和点焊）。具体应用见ISO24497-2。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
ISO 9712 2无损检测人员资格鉴定与认证（Non-destructivetesting一Qualificationandcertifica tion of personnel)
注：GB/T9445—2015无损检测人员资格鉴定与认证（ISO9712：2012，IDT） ISO/TS18173无损检测通用术语和定义（Non-destructivetesting—Generaltermsanddefini-
tions)
注：GB/T20737—2006无损检测通用术语和定义（ISO/TS18173：2005，IDT） ISO24497-2无损检测磁记忆第2部分：焊接接头检测（Non-destructivetesting一Metal
magnetic memory—Part 2: Inspection of welded joints)
3术语和定义
ISO/TS18173界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 ISO和IEC维护的标准化工作中使用的术语数据库网址如下： ——ISO在线浏览平台：https：//www.iso.org/obp； —IEC电工百科：http：//www.electropedia.org/。
3.1
金属磁记忆 metalmagneticmemory;MMM 铁磁性物体经历磁场变化和磁-机械效应累积作用后的磁状态。 注：对于给定的磁场（例如地磁场），在其制造过程或运行过程中形成的铁物体，由于影响磁畴分布3的各种环境
1 GB/T26641—2021/ISO24497-1:2020
因素，改变了其剩余磁化强度（例如：温度、机械载荷[o1017或材料的微观结构变化）。
3.2
表面磁场 5magnetic strayfield;SF 离开或进入零件表面且非有意磁化该零件的磁场。 注1：铁磁材料在其自身体积和周围空间中产生磁场。材料本身的磁化分布所产生的场称为表面磁场或其内的退
磁场。退磁场和表面磁场是几何相关的，当磁化强度不均匀或具有与外部或内部表面法向的分量时，表面磁场就会出现4]。表面磁场的高局部变化，类似于磁通泄漏，可以表明材料性能的不均匀性
注2：文献中使用的其他术语是，例如自发漏磁场、残余磁场、表面磁场、漏磁场、磁场密度或表面场。当用于无损检
测时，表面磁场是被动磁场测量的推荐术语，面漏磁定义了在检测之前或检测期间由于外部磁化放大的磁通量。
3.3
金属磁记忆检测 metal magnetic memory testing;MMM testing 通过测量和分析被检对象LIOs表面磁场L3.2分布且无需主动磁化的无损检测技术。 注：磁场敏感探头用于测量表面磁场分布。
3.4
表面磁场矢量 stray field vector H sF.i 采用被动磁场传感法测定的被检对象表面磁场在i方向（i=，y，2）上的分量。
3.5
表面磁场指示 strayfield indication;SFI 由高机械应力/应变梯度引起的SF（表面磁场）的偏离=6:10:1747。 注1：在具有局部磁导率变化的位置也形成SFI,这可能是由缺陷集中（例如引起的裂纹、点蚀）、金属组织中强异质
的边界、杂质、突然的几何变化(24]2)5E]、内部和外部表面[46)、与被检查物体的分离、不可通变形（位错密度高)和化学成分的变化(例如，沉积或浸出)等引起的。
注2：表面磁场指示不一定是缺陷的指示，需要解释以确定其相关性表面磁场指示取代应力集中区只在机械应力
集中的地方使用SCZ(例如尖角、裂纹尖端)]，见附录A。
3.6
表面磁场梯度 strayfieldgradient K sF 同一探头位置上，表面磁场随探头位置变化和/或时间变化的变化率。 注：表面磁场梯度，K.i，根据公式(2)和/或公式（3)计算。
3.7
表面磁场平均梯度 median strayfield gradient K med 根据公式（4)计算的测量线和/或测量线之间SF的平均斜率。 注1：它与被检对象的形状各向异性及其磁极化有关。如果被检对象初始工作状态的磁化状态未知，则平均梯度表
征被检对象磁状态的估计值。特别是SF法向分量常显示为正负值之间的特征曲线。 注2：周期（△t、时间相关)测量和/或被检对象工作条件之间中位梯度的变化，例如，在役状态和无工作载荷可能与
磁-机械效应有关。
3.8
磁指数magneticindex mi 用来评价SFI的SFI局部梯度与SFI平均梯度的比值，计算方法见公式（6）。
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