ICS19.100 CCS J 04
GB
中华人民共和国国家标准
GB/T12604.10—2023 代替GB/T12604.10—2011
无损检测 术语　第 10部分：磁记忆检测 Non-destructive testing-Terminology—Part 10 : Magnetic memory testing
2023-05-23实施
2023-05-23发布
国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
发布 GB/T12604.10—2023
目 次
前言引言 1 范围 2 规范性引用文件 3术语和定义附录A（资料性）本文件删除GB/T12604.10一2011的术语附录B（资料性） 本文件与GB/T12604.10一2011相比增加的术语，附录C（资料性） 本文件与GB/T12604.10—2011相比修改的术语参考文献索引
10
13
图 1 磁记忆信号平面显示图图 2 磁记忆信号时基显示图图3 磁记忆信号A扫描显示图图 4 磁记忆信号极坐标显示图图 5 磁记忆信号色斑显示图图6 磁记忆信号三维显示图· 图 7 磁记忆信号管状显示图·
表A.1本文件删除GB/T12604.10—2011的术语表 B.1 本文件与GB/T12604.10—2011相比增加的术语表C.1本文件与GB/T12604.10—2011相比修改的术语
10
12 GB/T12604.10—2023
前言
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
本文件是GB/T12604《无损检测 术语》的第10部分。GB/T12604已经发布了以下部分：
GB/T 12604.1 无损检测 术语 超声检测； GB/T12604.2 无损检测 术语 射线照相检测； GB/T12604.3 无损检测 术语 渗透检测； GB/T12604.4 无损检测 术语 声发射检测； GB/T12604.5 无损检测 术语 磁粉检测； GB/T12604.6 无损检测 术语 涡流检测； GB/T 12604.7 无损检测 术语 泄漏检测； GB/T12604.8 无损检测 术语 中子检测； GB/T12604.9 无损检测 术语 红外热成像； GB/T12604.10 无损检测 术语 第10部分：磁记忆检测； GB/T12604.11 无损检测 术语 X射线数字成像检测； GB/T12604.12 无损检测 术语 第12部分：工业射线计算机层析成像检测； GB/T12604.13 无损检测 术语 第13部分：阵列超声检测。
本文件代替GB/T12604.10— -2011《无损检测术语磁记忆检测》，与GB/T12604.10一2011相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
a) 删除了部分术语（见附录A)； b）增加了部分术语（见附录B)； c) 更改了部分术语（见附录C)。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国无损检测标准化技术委员会（SAC/TC56)提出并归口。 本文件起草单位：爱德森（厦门)电子有限公司、上海材料研究所有限公司、中国特种设备检测研究
院、中国科学院金属研究所、国家能源集团科学技术研究院、南昌航空大学、中国铁道科学研究院集团有限公司金属及化学研究所、中国人民解放军陆军装甲兵学院、清华大学、厦门大学。
本文件主要起草人：林俊明、沈功田、蔡桂喜、胡先龙、丁杰、宋凯、董世运、黄松岭、黄凤英、曾志伟、 胡斌、戴永红。
本文件于2011年首次发布，本次为第一次修订。
II GB/T12604.10—2023
引言
无损检测技术是人类工业化和社会发展不可或缺的重要工具，是产品质量控制和保障设备设施安全运行的主要手段，其同时也对生产工艺进行反馈。无损检测利用物质的热、力、声、光、电和磁等特性，以不损害预期使用性能和可靠性的方式，探测、定位和测量材料与零部件中的缺陷或异常，评价其性能、组织和完整性。无损检测的应用涵盖机械制造、化工、医药医疗、能源、交通、冶金、建筑、水利、海洋工程、兵器、航空、航天、核工业、卫生食品、走私与反恐和公共安全等领域
无损检测的方法和技术众多，应用对象广泛。建立无损检测各个方法和技术的基础通用的术语，是国内外各类无损检测标准化机构开展无损检测标准化活动的首要任务。GB/T12604《无损检测术语》是指导我国无损检测标准化活动的基础性和通用性标准。GB/T12604《无损检测术语》旨在确立普遍适用于无损检测标准化文件的术语，由十三个部分构成。
GB/T 12604.1 无损检测 术语 超声检测。目的在于界定了超声检测的术语。 GB/T12604.2 无损检测 术语 射线照相检测。目的在于界定了射线照相检测的术语。 GB/T12604.3 无损检测 术语 渗透检测。目的在于界定了渗透检测的术语。 GB/T 12604.4 无损检测 术语 声发射检测。目的在于界定了声发射检测的术语。 GB/T12604.5 无损检测 术语 磁粉检测。目的在于界定了磁粉检测的术语。 GB/T12604.6 无损检测 术语 涡流检测。目的在于界定了涡流检测的术语。 GB/T12604.7 无损检测 术语 泄漏检测。目的在于界定了泄漏检测的术语。 GB/T12604.8 无损检测 术语 中子检测。目 目的在于界定了中子检测的术语。 GB/T12604.9 无损检测 术语 红外热成像。目的在于界定了红外热成像的术语。 GB/T12604.10 无损检测 术语 第10部分：磁记忆检测。目的在于界定了磁记忆检测的术语。 GB/T 12604.11 无损检测 术语 X射线数字成像检测。目的在于界定了X射线数学成像检测的术语。 GB/T12604.12 无损检测 术语 第12部分：工业射线计算机层析成像检测。目的在于界
定了工业射线计算机层析成像检测的术语， —GB/T 12604.13 无损检测术语第13部分：阵列超声检测。目的在于界定了阵列超声检
测的术语。 本文件是GB/T12604的第10部分，分别从通用、原理方法、仪器、传感器、测量及应用等方面对磁
记忆检测术语进行定义。本次对GB/T12604.10的修订，重点考虑了磁记忆检测涵盖的原理、仪器、传感器、检测工艺和方法等，明确了相关常用的术语和定义，使得在制定磁记忆检测方法和产品文件时有据可依，从而发挥术语文件的基本通用的支撑功能，更好地促进无损检测贸易、交流以及技术合作。
IN GB/T12604.10—2023
无损检测术语 第10部分：磁记忆检测
1范围
本文件界定了用于金属磁记忆检测的术语。 本文件适用于金属磁记忆检测。
2规范性引用文件
n
本文件没有规范性引用文件。
3 ：术语和定义
3.1
金属磁记忆 metalmagneticmemory;MMM 铁磁性物体经历磁场变化和磁-机械效应积累作用后的磁状态，注：对于给定的磁场（例如地磁场），在其制造过程或运行过程中形成的铁磁物体，由于影响磁畴（3.21)分布的各种
环境因素，改变了其剩余磁化强度（例如：温度、机械载荷或材料的微观结构变化）。 ［来源：GB/T26641—2021,3.1]
3.2
表面磁场 magneticstrayfield;SF 离开或进人零件表面且非有意磁化该零件的磁场注1：铁磁材料在其自身体积和周围空间中产生磁场。材料本身的磁化分布所产生的场称为表面磁场或其内的退
磁场。退磁场和表面磁场是几何相关的，当磁化强度不均匀或具有与外部或内部表面法向的分量时，表面磁场就会出现。表面磁场的高局部变化类似于磁通泄漏，用来表明材料性能的不均匀性
注2：文献中使用的其他术语是，例如自发漏磁场、残余磁场、表面磁场、漏磁场、磁场密度或表面场。当用于无损检
测时，表面磁场是被动磁场测量的推荐术语，而漏磁定义了在检测之前或检测期间由于外部磁化放大的磁通量。
［来源：GB/T26641—2021,3.2]
3.3
表面磁场梯度 strayfieldgradient 同一探头位置上，表面磁场（3.2)随探头位置变化和/或时间变化的变化率。 ［来源：GB/T26641—2021,3.6］
3.4
表面磁场矢量 stray field vector 采用被动磁场传感法测定的被检对象表面磁场（3.2)在i方向（i=，y，之）上的分量。 来源:GB/T26641—2021，3.4
3.5
表面磁场指示 stray field indication;SFI 由高机械应力/应变梯度引起的SF（表面磁场）的偏离。
1 GB/T12604.10—2023
注1：在具有局部磁导率变化的位置也形成SFI,这可能是由缺陷集中（例如引起的裂纹、点蚀），金属组织中强异质
的边界、杂质、突然的几何变化、内部和外部表面、与被检查物体的分离、不可逆变形（位错密度高)和化学成分的变化（例如，沉积或浸出)等引起的，
注2：表面磁场指示不一定是缺陷的指示。 ［来源：GB/T26641—2021,3.5
3.6
力磁耦合效应 force-magnetic coupling effect 应力与应变对铁磁材料磁化过程的影响规律。
3.7
参考磁场 referencemagnetic field 进行金属磁记忆检测（3.9)时用作参考的磁场注：通常为地磁场。
3.8
背景磁场 background magnetic field 对磁记忆检测系统（3.29）有影响的由外部物体产生的磁场。 注：背景磁场对磁记忆信号（3.34)有影响。
3.9
金属磁记忆检测 metal magnetic memory testing;MMM testing 通过测量和分析被检对象表面磁场（3.2）分布且无需主动磁化的无损检测技术。 注：磁场敏感探头用于测量表面磁场（3.2)分布。 ［来源：GB/T26641—2021,3.3]
3.10
磁-位错磁滞效应 magneto-dislocationhysteresiseffect 在弱磁环境中，由于位错团对磁畴壁的钉扎引起的磁滞现象。
3.11
梯度因子 factor of SF gradient 表面磁场（3.2)的最大梯度值与其平均值之比。
3.12
表面磁场平均梯度 median stray field gradient 测量线和/或测量线之间SF的平均斜率。 注1：它与被检对象的形状各向异性及其磁极化有关。如果被检对象初始工作状态的磁化状态未知，则平均梯度表
征被检对象磁状态的估计值。特别是SF法向分量常显示为正负值之间的特征曲线，
注2：周期（△/、时间相关）测量和/或被检对象工作条件之间中位梯度的变化，例如，在役状态和无工作载荷可能与
磁-机械效应有关。 ［来源：GB/T26641—2021,3.7
3.13
磁化曲线 magnetization curve 表征铁磁体在磁化过程中磁场强度与磁感应强度之间关系的曲线。
3.14
磁滞回线 hysteresis loop 表征铁磁体磁滞现象的闭合磁化曲线（3.13）。
2 GB/T12604.10—2023
3.15
磁致伸缩效应 magnetostrictive effect 铁磁体在被外磁场磁化时，其体积和长度发生变化的现象。 注：包括线性磁致伸缩和体积磁致伸缩
3.16
磁机械效应 magneto mechanical effect 在非人为磁化（例如地磁情况下，铁磁材料中机械应力对其自磁化产生影响的现象。
3.17
磁弹性效应 magneto elastic effect 铁磁性材料的磁性随机械应力（应变)的变化而改变的现象
3.18
磁致伸缩系数 magnetostriction coefficient 表征磁致伸缩效应（3.15)强弱程度的磁学参数。
3.19
钉扎系数 pinning coefficient 表征钉扎效应的参数。 注：钉扎效应是指费米能级不随掺杂等而发生位置变化的效应，
3.20
磁指数 magneticindex 用来评价SFI的SF局部梯度与SF平均梯度的比值。 来源：GB/T26641一2021，3.8，有修改
3.21
磁畴 手magneticdomain 铁磁体在自发磁化的过程中为降低静磁能而产生分化的方向各异的小型磁化区域。
3.22
提离 lift-off 被检对象表面与磁探头传感区域体积中心之间的距离。 注：小的提离对SFI评价的可靠性至关重要。 ［来源：GB/T26641—2021,3.12]
3.23
位置分辨力 position resolution 有效辨别两个相邻测量点之间位置的能力。
3.24
扫查线间距 distance between neighbouring scanning lines 探头中心点之间的距离和/或两条相邻测量线之间的距离。 注：此距离影响表面磁场梯度（3.3)。 ［来源：GB/T26641—2021,3.9]
3.25
采样间距 discrete sampling distancein thescanning line 表面磁场大小或分量的两个相邻测量点之间的距离。 注：采样距离影响表面磁场梯度（3.3）。 来源:GB/T26641—2021,3.10
3 GB/T12604.10—2023
3.26
磁记忆检测通道magneticmemorytestingchannel 磁记忆检测仪（3.27)采集、处理磁记忆信号的物理通道。
3.27
磁记忆检测仪magneticmemorytestinginstrument 利用金属磁记忆检测技术对铁磁性材料或焊缝表面的自有漏磁场实施检测和分析，并对可能存在
的应力集中和损伤区域进行评估的无损检测仪器 3.28
多通道磁记忆检测仪 multichannel magneticmemorytestinginstrument 具有4个或4个以上检测通道的磁记忆检测仪（3.27）。
3.29
磁记忆检测系统 magneticmemorv testing svsten 至少包括磁记忆检测仪（3.27）、具有一定排布的磁记忆传感器（3.30）和相应的连接电缆，对金属磁
记忆（3.1)进行检测或测量的系统。 3.30
磁记忆传感器 magnetic memory sensor 具有拾取磁记忆信号并转化为电信号的检测元件或单元组件。
3.31
磁记忆阵列传感器magneticmemoryarraysensor 按直线、矩阵等方式排布的多单元集成的传感器。
3.32
磁敏传感器 magneticsensor 将磁学物理量转换成电信号的传感器。
3.33
磁记忆检测系统标定magneticmemorytestingsystemcalibration 调整磁记忆检测系统（3.29)初始显示与参考磁场（3.7)一致的过程。
3.34
磁记忆信号magneticmemorysignal 磁记忆检测系统（3.29）的输出信号。
3.35
磁记忆信号最大值 magnetic memory signal maximum 磁记忆信号（3.34)中表面磁场强度的最大值。
3.36
磁记忆信号最小值 magneticmemorysignal minimum 磁记忆信号（3.34)中表面磁场强度的最小值。
3.37
磁记忆异常信号abnormalmagneticmemorysignal 磁记忆检测仪（3.27)在被检件表面扫查获取的随时间或空间变化突变量超过一定阙值时的信号。
3.38
表面磁场图 magnetic stray field diagram 显示表面磁场分布和/或表面磁场梯度（3.3）和/或表面磁场平均梯度（3.12）与扫查路径的关系图。
A ICS19.100 CCS J 04
GB
中华人民共和国国家标准
GB/T12604.10—2023 代替GB/T12604.10—2011
无损检测 术语　第 10部分：磁记忆检测 Non-destructive testing-Terminology—Part 10 : Magnetic memory testing
2023-05-23实施
2023-05-23发布
国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会
发布 GB/T12604.10—2023
目 次
前言引言 1 范围 2 规范性引用文件 3术语和定义附录A（资料性）本文件删除GB/T12604.10一2011的术语附录B（资料性） 本文件与GB/T12604.10一2011相比增加的术语，附录C（资料性） 本文件与GB/T12604.10—2011相比修改的术语参考文献索引
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图 1 磁记忆信号平面显示图图 2 磁记忆信号时基显示图图3 磁记忆信号A扫描显示图图 4 磁记忆信号极坐标显示图图 5 磁记忆信号色斑显示图图6 磁记忆信号三维显示图· 图 7 磁记忆信号管状显示图·
表A.1本文件删除GB/T12604.10—2011的术语表 B.1 本文件与GB/T12604.10—2011相比增加的术语表C.1本文件与GB/T12604.10—2011相比修改的术语
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12 GB/T12604.10—2023
前言
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
本文件是GB/T12604《无损检测 术语》的第10部分。GB/T12604已经发布了以下部分：
GB/T 12604.1 无损检测 术语 超声检测； GB/T12604.2 无损检测 术语 射线照相检测； GB/T12604.3 无损检测 术语 渗透检测； GB/T12604.4 无损检测 术语 声发射检测； GB/T12604.5 无损检测 术语 磁粉检测； GB/T12604.6 无损检测 术语 涡流检测； GB/T 12604.7 无损检测 术语 泄漏检测； GB/T12604.8 无损检测 术语 中子检测； GB/T12604.9 无损检测 术语 红外热成像； GB/T12604.10 无损检测 术语 第10部分：磁记忆检测； GB/T12604.11 无损检测 术语 X射线数字成像检测； GB/T12604.12 无损检测 术语 第12部分：工业射线计算机层析成像检测； GB/T12604.13 无损检测 术语 第13部分：阵列超声检测。
本文件代替GB/T12604.10— -2011《无损检测术语磁记忆检测》，与GB/T12604.10一2011相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
a) 删除了部分术语（见附录A)； b）增加了部分术语（见附录B)； c) 更改了部分术语（见附录C)。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国无损检测标准化技术委员会（SAC/TC56)提出并归口。 本文件起草单位：爱德森（厦门)电子有限公司、上海材料研究所有限公司、中国特种设备检测研究
院、中国科学院金属研究所、国家能源集团科学技术研究院、南昌航空大学、中国铁道科学研究院集团有限公司金属及化学研究所、中国人民解放军陆军装甲兵学院、清华大学、厦门大学。
本文件主要起草人：林俊明、沈功田、蔡桂喜、胡先龙、丁杰、宋凯、董世运、黄松岭、黄凤英、曾志伟、 胡斌、戴永红。
本文件于2011年首次发布，本次为第一次修订。
II GB/T12604.10—2023
引言
无损检测技术是人类工业化和社会发展不可或缺的重要工具，是产品质量控制和保障设备设施安全运行的主要手段，其同时也对生产工艺进行反馈。无损检测利用物质的热、力、声、光、电和磁等特性，以不损害预期使用性能和可靠性的方式，探测、定位和测量材料与零部件中的缺陷或异常，评价其性能、组织和完整性。无损检测的应用涵盖机械制造、化工、医药医疗、能源、交通、冶金、建筑、水利、海洋工程、兵器、航空、航天、核工业、卫生食品、走私与反恐和公共安全等领域
无损检测的方法和技术众多，应用对象广泛。建立无损检测各个方法和技术的基础通用的术语，是国内外各类无损检测标准化机构开展无损检测标准化活动的首要任务。GB/T12604《无损检测术语》是指导我国无损检测标准化活动的基础性和通用性标准。GB/T12604《无损检测术语》旨在确立普遍适用于无损检测标准化文件的术语，由十三个部分构成。
GB/T 12604.1 无损检测 术语 超声检测。目的在于界定了超声检测的术语。 GB/T12604.2 无损检测 术语 射线照相检测。目的在于界定了射线照相检测的术语。 GB/T12604.3 无损检测 术语 渗透检测。目的在于界定了渗透检测的术语。 GB/T 12604.4 无损检测 术语 声发射检测。目的在于界定了声发射检测的术语。 GB/T12604.5 无损检测 术语 磁粉检测。目的在于界定了磁粉检测的术语。 GB/T12604.6 无损检测 术语 涡流检测。目的在于界定了涡流检测的术语。 GB/T12604.7 无损检测 术语 泄漏检测。目的在于界定了泄漏检测的术语。 GB/T12604.8 无损检测 术语 中子检测。目 目的在于界定了中子检测的术语。 GB/T12604.9 无损检测 术语 红外热成像。目的在于界定了红外热成像的术语。 GB/T12604.10 无损检测 术语 第10部分：磁记忆检测。目的在于界定了磁记忆检测的术语。 GB/T 12604.11 无损检测 术语 X射线数字成像检测。目的在于界定了X射线数学成像检测的术语。 GB/T12604.12 无损检测 术语 第12部分：工业射线计算机层析成像检测。目的在于界
定了工业射线计算机层析成像检测的术语， —GB/T 12604.13 无损检测术语第13部分：阵列超声检测。目的在于界定了阵列超声检
测的术语。 本文件是GB/T12604的第10部分，分别从通用、原理方法、仪器、传感器、测量及应用等方面对磁
记忆检测术语进行定义。本次对GB/T12604.10的修订，重点考虑了磁记忆检测涵盖的原理、仪器、传感器、检测工艺和方法等，明确了相关常用的术语和定义，使得在制定磁记忆检测方法和产品文件时有据可依，从而发挥术语文件的基本通用的支撑功能，更好地促进无损检测贸易、交流以及技术合作。
IN GB/T12604.10—2023
无损检测术语 第10部分：磁记忆检测
1范围
本文件界定了用于金属磁记忆检测的术语。 本文件适用于金属磁记忆检测。
2规范性引用文件
n
本文件没有规范性引用文件。
3 ：术语和定义
3.1
金属磁记忆 metalmagneticmemory;MMM 铁磁性物体经历磁场变化和磁-机械效应积累作用后的磁状态，注：对于给定的磁场（例如地磁场），在其制造过程或运行过程中形成的铁磁物体，由于影响磁畴（3.21)分布的各种
环境因素，改变了其剩余磁化强度（例如：温度、机械载荷或材料的微观结构变化）。 ［来源：GB/T26641—2021,3.1]
3.2
表面磁场 magneticstrayfield;SF 离开或进人零件表面且非有意磁化该零件的磁场注1：铁磁材料在其自身体积和周围空间中产生磁场。材料本身的磁化分布所产生的场称为表面磁场或其内的退
磁场。退磁场和表面磁场是几何相关的，当磁化强度不均匀或具有与外部或内部表面法向的分量时，表面磁场就会出现。表面磁场的高局部变化类似于磁通泄漏，用来表明材料性能的不均匀性
注2：文献中使用的其他术语是，例如自发漏磁场、残余磁场、表面磁场、漏磁场、磁场密度或表面场。当用于无损检
测时，表面磁场是被动磁场测量的推荐术语，而漏磁定义了在检测之前或检测期间由于外部磁化放大的磁通量。
［来源：GB/T26641—2021,3.2]
3.3
表面磁场梯度 strayfieldgradient 同一探头位置上，表面磁场（3.2)随探头位置变化和/或时间变化的变化率。 ［来源：GB/T26641—2021,3.6］
3.4
表面磁场矢量 stray field vector 采用被动磁场传感法测定的被检对象表面磁场（3.2)在i方向（i=，y，之）上的分量。 来源:GB/T26641—2021，3.4
3.5
表面磁场指示 stray field indication;SFI 由高机械应力/应变梯度引起的SF（表面磁场）的偏离。
1 GB/T12604.10—2023
注1：在具有局部磁导率变化的位置也形成SFI,这可能是由缺陷集中（例如引起的裂纹、点蚀），金属组织中强异质
的边界、杂质、突然的几何变化、内部和外部表面、与被检查物体的分离、不可逆变形（位错密度高)和化学成分的变化（例如，沉积或浸出)等引起的，
注2：表面磁场指示不一定是缺陷的指示。 ［来源：GB/T26641—2021,3.5
3.6
力磁耦合效应 force-magnetic coupling effect 应力与应变对铁磁材料磁化过程的影响规律。
3.7
参考磁场 referencemagnetic field 进行金属磁记忆检测（3.9)时用作参考的磁场注：通常为地磁场。
3.8
背景磁场 background magnetic field 对磁记忆检测系统（3.29）有影响的由外部物体产生的磁场。 注：背景磁场对磁记忆信号（3.34)有影响。
3.9
金属磁记忆检测 metal magnetic memory testing;MMM testing 通过测量和分析被检对象表面磁场（3.2）分布且无需主动磁化的无损检测技术。 注：磁场敏感探头用于测量表面磁场（3.2)分布。 ［来源：GB/T26641—2021,3.3]
3.10
磁-位错磁滞效应 magneto-dislocationhysteresiseffect 在弱磁环境中，由于位错团对磁畴壁的钉扎引起的磁滞现象。
3.11
梯度因子 factor of SF gradient 表面磁场（3.2)的最大梯度值与其平均值之比。
3.12
表面磁场平均梯度 median stray field gradient 测量线和/或测量线之间SF的平均斜率。 注1：它与被检对象的形状各向异性及其磁极化有关。如果被检对象初始工作状态的磁化状态未知，则平均梯度表
征被检对象磁状态的估计值。特别是SF法向分量常显示为正负值之间的特征曲线，
注2：周期（△/、时间相关）测量和/或被检对象工作条件之间中位梯度的变化，例如，在役状态和无工作载荷可能与
磁-机械效应有关。 ［来源：GB/T26641—2021,3.7
3.13
磁化曲线 magnetization curve 表征铁磁体在磁化过程中磁场强度与磁感应强度之间关系的曲线。
3.14
磁滞回线 hysteresis loop 表征铁磁体磁滞现象的闭合磁化曲线（3.13）。
2 GB/T12604.10—2023
3.15
磁致伸缩效应 magnetostrictive effect 铁磁体在被外磁场磁化时，其体积和长度发生变化的现象。 注：包括线性磁致伸缩和体积磁致伸缩
3.16
磁机械效应 magneto mechanical effect 在非人为磁化（例如地磁情况下，铁磁材料中机械应力对其自磁化产生影响的现象。
3.17
磁弹性效应 magneto elastic effect 铁磁性材料的磁性随机械应力（应变)的变化而改变的现象
3.18
磁致伸缩系数 magnetostriction coefficient 表征磁致伸缩效应（3.15)强弱程度的磁学参数。
3.19
钉扎系数 pinning coefficient 表征钉扎效应的参数。 注：钉扎效应是指费米能级不随掺杂等而发生位置变化的效应，
3.20
磁指数 magneticindex 用来评价SFI的SF局部梯度与SF平均梯度的比值。 来源：GB/T26641一2021，3.8，有修改
3.21
磁畴 手magneticdomain 铁磁体在自发磁化的过程中为降低静磁能而产生分化的方向各异的小型磁化区域。
3.22
提离 lift-off 被检对象表面与磁探头传感区域体积中心之间的距离。 注：小的提离对SFI评价的可靠性至关重要。 ［来源：GB/T26641—2021,3.12]
3.23
位置分辨力 position resolution 有效辨别两个相邻测量点之间位置的能力。
3.24
扫查线间距 distance between neighbouring scanning lines 探头中心点之间的距离和/或两条相邻测量线之间的距离。 注：此距离影响表面磁场梯度（3.3)。 ［来源：GB/T26641—2021,3.9]
3.25
采样间距 discrete sampling distancein thescanning line 表面磁场大小或分量的两个相邻测量点之间的距离。 注：采样距离影响表面磁场梯度（3.3）。 来源:GB/T26641—2021,3.10
3 GB/T12604.10—2023
3.26
磁记忆检测通道magneticmemorytestingchannel 磁记忆检测仪（3.27)采集、处理磁记忆信号的物理通道。
3.27
磁记忆检测仪magneticmemorytestinginstrument 利用金属磁记忆检测技术对铁磁性材料或焊缝表面的自有漏磁场实施检测和分析，并对可能存在
的应力集中和损伤区域进行评估的无损检测仪器 3.28
多通道磁记忆检测仪 multichannel magneticmemorytestinginstrument 具有4个或4个以上检测通道的磁记忆检测仪（3.27）。
3.29
磁记忆检测系统 magneticmemorv testing svsten 至少包括磁记忆检测仪（3.27）、具有一定排布的磁记忆传感器（3.30）和相应的连接电缆，对金属磁
记忆（3.1)进行检测或测量的系统。 3.30
磁记忆传感器 magnetic memory sensor 具有拾取磁记忆信号并转化为电信号的检测元件或单元组件。
3.31
磁记忆阵列传感器magneticmemoryarraysensor 按直线、矩阵等方式排布的多单元集成的传感器。
3.32
磁敏传感器 magneticsensor 将磁学物理量转换成电信号的传感器。
3.33
磁记忆检测系统标定magneticmemorytestingsystemcalibration 调整磁记忆检测系统（3.29)初始显示与参考磁场（3.7)一致的过程。
3.34
磁记忆信号magneticmemorysignal 磁记忆检测系统（3.29）的输出信号。
3.35
磁记忆信号最大值 magnetic memory signal maximum 磁记忆信号（3.34)中表面磁场强度的最大值。
3.36
磁记忆信号最小值 magneticmemorysignal minimum 磁记忆信号（3.34)中表面磁场强度的最小值。
3.37
磁记忆异常信号abnormalmagneticmemorysignal 磁记忆检测仪（3.27)在被检件表面扫查获取的随时间或空间变化突变量超过一定阙值时的信号。
3.38
表面磁场图 magnetic stray field diagram 显示表面磁场分布和/或表面磁场梯度（3.3）和/或表面磁场平均梯度（3.12）与扫查路径的关系图。
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