ICS25.100.70 cCS J 43
中华人民共和国家标准
GB/T 43136—2023
超硬磨料制品
半导体芯片精密划切用砂轮
Superabrasive products-Precision dicing and cutting wheels
for semiconductor chips
2024-04-01实施
2023-09-07发布
国家市场监督管理总局
国家标准化管理委员会 发布 GB/T43136—2023
目 次
前言
范围 2 规范性引用文件
1
术语和定义产品分类 4.1晶圆芯片精密划片用砂轮 4.2封装体芯片精密切割用砂轮 5产品标记 5.1晶圆芯片精密划片用砂轮标记 5.2 封装体芯片精密切割用砂轮标记 6技术要求 6.1外观
3
6.2 基本尺寸极限偏差 6.3 形位公差 6.4 基体粗糙度
7试验方法
7.1 外观 7.2 基本尺寸 7.3 形位公差 7.4 基体粗糙度检验规则 8.1 出厂检验 8.2 产品质量监督检验 9标志
+++
tt.
t+t
1
9.1产品标志 9.2 合格证标志 9.3 外包装标志 10包装、运输和贮存
10
10 10
10.1 包装 10.2 运输 10.3 贮存
LU GB/T43136—2023
前言
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中国机械工业联合会提出。 本文件由全国磨料磨具标准化技术委员会（SAC/TC139）归口。 本文件起草单位：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司、南京三超新材料股份有限公司、郑州琦升精
密制造有限公司、华侨大学、苏州赛尔科技有限公司。
本文件主要起草人：包华、祝小威、邵俊永、邹余耀、杜晓旭、张良、王战、黎克楠、羊松灿、吴转运黄国钦、胡智勇、余佳音、俞月国、冉隆光、杨松彬
I GB/T43136—2023
超硬磨料制品
半导体芯片精密划切用砂轮
1范围
本文件规定了半导体芯片精密划切用砂轮的产品分类、产品标记、技术要求、试验方法、检验规则、 标志、包装、运输和贮存。
本文件适用于半导体晶圆芯片精密划片和封装体芯片精密切割用电镀结合剂、树脂结合剂和金属结合剂金刚石砂轮。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T1800.2一2020产品几何技术规范（GPS）线性尺寸公差ISO代号体系第2部分：标准公差带代号和孔、轴的极限偏差表
GB/T2829一2002周期检验计数抽样程序及表（适用于对过程稳定性的检验） GB/T16458磨料磨具术语
3术语和定义
GB/T16458界定的术语和定义适用于本文件。
4产品分类
4.1晶圆芯片精密划片用砂轮
产品代号为SWDW。 结合剂类型为电镀结合剂。 形状代号为3A2（轮毂型），形状示意见图1，尺寸见表1
D D
图1晶圆芯片精密划片用砂轮（3A2型）形状示意 GB/T43136—2023
表1 晶圆芯片精密划片用砂轮尺寸
D mm
H mm
Di mm
T mm
U μm
X μm
15-2025303540.50 250.380.510,640.760.890. 60.70.80.90.100.110.120 1020.1150.1270
55.55 注：一般情况下，X/U≤40。
19.05
4.5
46~50
4.2 封装体芯片精密切割用砂轮 4.2.1 产品代号
产品代号为SPCW。 4.2.2树脂结合剂和金属结合剂砂轮
形状代号分别为1A8、1B8、1D8和1E8，形状示意见图2，尺寸见表2。
I
2
a) 1A8型
H
:'r
3: FF:
1.
b) 1B8型
32262
13
) 1D8型
I1
5
:..
2.7
d) 1E8型
注：1A8型包括开槽和不开槽两种形式
图2封装体芯片精密切割用树脂结合剂和金属结合剂砂轮形状示意
2 GB/T43136—2023
表2封装体芯片精密切割用树脂结合剂和金属结合剂砂轮尺寸
Ta mm
D mm
H mm 40 88.82
50~~76.2 114~125
0.048-~1.0 0.1~~1.1
V为30°~~90°；T根据用户要求而定对于1B8.1D8和1E8型，T>0.1mm。
4.2.3 电镀结合剂砂轮
形状代号分别为3A2（轮毂型）、1A8（无轮毂型）形状示意见图3，基本尺寸见表3。
I1
一#
D
L1
H
+
楼
883
5·
E
5
V
花
F :
C
a 3A2型
b 1A8型
注：包括开槽和不开槽两种形式。
图3封装体芯片精密切割用电镀结合剂砂轮形状示意
表3封装体芯片精密切割用电镀结合剂砂轮尺寸
单位为毫米
H T1 D
形状 D
T或U
X
A
B
1.00.1.20.1.40.1.60. 1.80.2.00.2.20.2.40.
0.02、0.03.0.04、0.06.
19.05 4.5 39-46 0.08.0.10.0.12.0.14. 2.60.2.80、3.00、3.20.
3A2
0.5.
1.0-
50~59
0.16.0.18.0.20.0.22. 0.24.0.26.0.28.0.30. 0.32.0.34.0.36
3.40.3.60.3.80.4.00. 3.5 1.0 4.20.4.40.4.60
1A8
40
注：一般情况下，X/U≤30。
3 GB/T43136—2023
5产品标记
5.1 晶圆芯片精密划片用砂轮标记
晶圆芯片精密划片用砂轮按以下方法进行标记：
口XI 口
浓度结合剂牌号（制造商自定）粒度磨料种类有效磨料层深度（μm）磨料层厚度（μm）形状代号产品代号
示例：晶圆芯片精密划片用砂轮.3A2型，磨料层厚度为30um.有效磨料层深度为760um，磨料为金刚石，粒度为 M2/4，结合剂牌号为H，浓度为110，则标记为
SWDW3A230X760DM2/4H110
5.2封装体芯片精密切割用砂轮标记
封装体芯片精密切割用砂轮按以下方法进行标记
X口XX-D
一
浓度结合剂及其牌号（牌号由制造商自定）粒度磨料种类角度或开槽数量（以S后接开槽数量表示）有效磨料层深度（mm.3A2型）孔径（mm）厚度或磨料层厚度（mm）外径（mm）形状代号产品代号
示例1：封装体芯片精密切割用砂轮.1B8型.外径为58mm厚度为0.8mm.孔径为40mm角度为60°磨料为金刚石、粒度为325/400，金属结合剂牌号为M1，浓度为75，则标记为
SPCW1B858X0.8X40-60°D325/400M175 GB/T43136—2023
示例2：封装体芯片精密切割用砂轮，3A2型，外径为58mm磨料层厚度为0.18mm孔径为19.05mm有效磨料层深度为4.0mm、开槽数量为48，磨料为金刚石、粒度为M25/35，电镀结合剂（Me）牌号为E1，浓度为50，则标记为
SPCW3A258X0.18X19.05X4-S48DM25/35MeE150
6技术要求
6.1外观
砂轮磨料层应组织均匀，不应有变形、发泡、夹杂和裂纹，边棱不应有掉边、飞边和缺口，磨料颗粒应出露。
基体应组织均匀，不应有裂纹、毛刺、凹坑、污渍和划痕。 6.2 基本尺寸极限偏差 6.2.1外径的极限偏差
砂轮外径（D）的极限偏差应符合表4中的规定，
表4外径的极限偏差
单位为毫米
极限偏差 ±0.1 ±0.2
外径（D）范围
D≤76.2 D>76.2
6.2.2孔径的极限偏差
砂轮孔径（H）的极限偏差应符合表5中的规定，对于1A8型砂轮对应于GB/T1800.2一2020表6 中的公差带H7；对于1B8、1D8、1E8型砂轮，对应于GB/T1800.2— 2020表6中的公差带H6。
表5孔径的极限偏差
单位为毫米
极限偏差 1A8
孔径（H)
3A2 +0.008 +0.003
1B8.1D8.1E8
19.05
+0.025 +0.035
0.016
40
O
门
+0.022 0
88.82
0
6.2.3 厚度或磨料层厚度的极限偏差 6.2.3.1 晶圆芯片精密划片用砂轮磨料层厚度（U）的极限偏差应符合表6中的规定。
5