YS/T 839-2012
硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
Test method for measurement of insulator thickness and refractive index on silicon substrates by ellipsometry
2012-11-07发布
2013-03-01实施
本标准按照GB/T1.1--2009 给出的规则起草。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）归口。
1范围
1.1 本方法规定了用椭圆偏振测试方法测量生长或沉积在硅衬底上的绝缘体薄膜厚度及折射率的方法。
1.2 本方法适用于薄膜对测试波长没有吸收和衬底对测试波长处不透光、且已知测试波长处衬底折射率和消光系数的绝缘体薄膜厚度及折射率的测量。对于非绝缘体薄膜，满足一定条件时，方可采用本方法。
2 方法提要