SJ/T 11552-2015
以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
Test methods for measurement of interstitial oxygen content of silicon wafers by infrared absorption with P-polarized radiation incident at the Brewster angle
2015 -10-10发布
2016-04- 01 实施
前 言
本标准按照GB/T1.1—2009制定的规则起草。
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本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。