GB/T 1557-2018 代替GB/T1557二2006
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
2019-06-01 实施
2018-09-17发布
本标准按照 GB/T 1.1—209价出的规则起草。
本标准代替GB/T17—2006《徒晶体中间取氧含量的红外吸收测量方法》，与GB/T157-200 挥北，除编据性修改外主要技术变化如下;
——范国中增加了"以低温红外设各测试叫，氧含量（原子数）的测试范国从0.5×10F om'到壁中间防氧的量大固溶度"（见.第 1章）。
——在规范性引用文件中增加了GB/T 4059、GR/T4660、GB/T 29057、GBT 506（见第2章）。
——在方法提要中增加了低温红外光谱仪的测试原理，并明确"账温偶里叶变换红外光谱仅满试硅单品中氧含量的具体内容见GB/T35306"（见第4章）。
在干找因素中增加了多品、测试环境、样品位置、测试设备对消试结果的影响（见5.1、5.8.5.9、
——将扣障参比光谱后样品的递射光谱在150o cm一处的透朝率由"100%±0.5"改为'100%士—则除了预淀氧浓度较高时，1230 cm处韵吸收谱带对测试结果的卷响（见206年夜5.5）。
——将"6.3 千分尺"修改为"5.3 厚度测量设备"，修改设备精度大于0.01mm（见6.3.2006年版6.3)
将"6.4热电偶氢伏计"修改为"64 温度测量设备 热电得忽伏计或其他适用于测试样品宜温度的设备"（见6.4，2006年版6.4）
——增加"6.5 湿度测试设备 湿度计或其他适用于测试环境湿度的设备"（见6.5）。
——将设各检查中的推走片厚度由0.065 cm改为0.085 cm（见8.2.5，2006年版8.2.5），
——将"表面处理"修改为"在测试之前，应保正样品表面无氧化物"，胖除了"用HF腐蚀去除表面教氧化物"（见 8.3.2006 年版8.5
——将"厚度测量"修改为"测量被测样品和参比样品的厚度。两者中心的厚度差应小于±o.5%"（见8.4.206 年贩8.4）。
将绘制透射谱酒列为资料性附录（见附录A，2006 年版8.7）。
——根督试验情况，修改了精密度（见第10牵，2006年新第11 章）。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）与全回半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC 203/SC2）共同提出并归口.