SJ/T 2215-2015代替 SJ 2215.1～2215.14—1982
半导体光电耦合器测试方法
Measuring methods for semiconductor photocouplers
2015-10-01 实施
2015 - 04-30 发布
前 言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准代替了SJ/T2215.1～2215.14—1982《半导体光耦合器测试方法》，修订时结合了国内产品的具体情况，除编辑性修改外主要技术变化如下;
——增加了术语和定义（见第3章）;
——修改了测试环境条件（见4.1），增加了测量和试验用标准大气条件（见 4.1.1）、仲裁测量和试验用标准大气条件（见 4.1.2）;
——增加了对示波器的误差要求（见 4.2.4）;
——集电极—发射极反向击穿电压修改为集电极—发射极击穿电压（见 5.6）;
——输出饱和压降修改为集电极一发射极饱和电压（见 5.7）;
——反向截止电流修改为输出截止电流（见 5.8）;
——直流电流传输比修改为电流传输比（见5.9）;
——脉冲上升、下降、延迟、贮存时间修改为脉冲上升时间、脉冲下降时间、下降传输延迟时间、上升传输延迟时间，增加了测量原理图，细化了测量步骤（见5.10）;
——隔离电容测试细化了测量步骤（见5.11.3）;
——隔离电阻测试细化了测量步骤（见5.12.3）;
——增加了输出高电平电压、输出低电平电压、高电平电源电流、低电平电源电流、带宽、快递系数、非线性度、零位电压、通态直流电压、断态直流电流、维持电流和输入触发电流的测试方法（分别见5.14，5.15，5.16，5.17，5.18，5.19，5.20，5.21，5.22，5.23，5.24和5.25）;
——补充了测试方法的规定条件（见第5章），细化了测量步骤（见第5 章）。
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本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。