SJ/T 11766-2020
光电耦合器件低频噪声参数测试方法
Measurement method of low-frequency noise parameters for photocouplers
2020-12-09发布
2021-04-01实施
前 言
电子元器件低频噪声参数测试方法的系列标准包括∶《电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求》和具体电子元器件的低频噪声参数测试方法，后者包括但不限于∶《晶体管低频噪声参数测试方法》、《二极管低频噪声参数测试方法》、《光电耦合器件低频噪声参数测试方法》、《电阻器低频噪声参数测试方法》等。
本标准按照 GB/T 1.1—2009给出的规则起草。
1 范围
本标准规定了光电耦合器件（以下简称光耦）1Hz～300kHz频率范围内噪声参数测试方法及要求。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
SJ/T 2215 半导体光电耦合器测试方法
SJ/T11769 电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求
3 术语和定义
SJT11769和 SJ/T2215界定的术语和定义适用于本文件。
4 测试条件及要求