SJ/T 2354-2015 代替 SJ/T 2354.1～2354.14—1983
PIN、雪崩光电二极管测试方法
Measuring methods for photodiodes of PIN、APD
2015-10- 01 实施
2015- 04 - 30 发布
前 言
本标准代替SJ/T 2354.1～2354.14—1983。本标准在SJ/T 2354.1～2354.14—1983的基础上除格式修改外主要变化如下∶
——增加了术语和定义（见第3章）;
——增加了3dB截止频率的测试方法（见5.11）;
——增加了饱和光功率（直流、交流）的测试方法（见5.13）;
——增加了阵列单元问响应度非均匀性（见5.12）;
——将原"阵列串光因子"的测试修改为"阵列串扰（直流、交流）"的测试（见5.9）;
——将原"过剩噪声指数"的测试修改为"过剩噪声因子"的测试（见5.15）;
——删除了"阵列盲区宽度"（见SJ/T 2354.11—1983）。
本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。