SJ/T 2354-2015代替 SJ/T 2354.1～2354.14—1983
PIN、雪崩光电二极管测试方法
Measuring methods for photodiodes of PIN、APD
2015-10-01实施
2015-04-30发布
目 次
1范围..............................................................1
2 规范性引用文件.................................................................1
3 术语和定义...............................................................1
4 一般要求..........................................................................3
4.1 总则............................................................3
4.2 测试仪器仪表..................................................3
4.3 电源.........................................................................4
4.4 测试环境条件.........................................................4
5 详细要求..........................................................................4
5.1 反向击穿电压.................................................................4
5.2 暗电流.....................................................................5
5.3 正向电压.........................................................6
5.4 电容..........................................................................7
5.5 响应度.......................................................................8
5.6 光谱响应范围和峰值响应波长...................................................9
5.7 上升时间和下降时间...........................................................10
5.8 噪声等效功率.......................................................12
5.9 阵列串扰.....................................................................13
5.10 反向击穿电压温度系数........................................................16
5.11 3dB截止频率.................................................................17
5.12 阵列单元间响应度非均匀性 ..............................................19
5.13 饱和光功率..................................................................20
5.14 倍增因子....................................................................23
5.15 过剩噪声因子.......................................,24
前 言
本标准代替SJ/T 2354.1～2354.14—-1983。本标准在SJ/T 2354.1～2354.14—1983的基础上除格式修改外主要变化如下∶
——增加了术语和定义（见第3章）;
——增加了3 dB截止频率的测试方法（见5.11）;
——增加了饱和光功率（直流、交流）的测试方法（见5.13）;
——增加了阵列单元问响应度非均匀性（见5.12）;
——将原"阵列串光因子"的测试修改为"阵列串扰（直流、交流）"的测试（见5.9）;
——将原"过剩噪声指数"的测试修改为"过剩噪声因子"的测试（见5.15）;
——删除了"阵列盲区宽度"（见SJ/T 2354.11-1983）。
本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。