SJ/T 2214-2015代替 SJ/T 2214.1～SJ/T 2214.10—1982
半导体光电二极管和光电晶体管测试方法
Measuring methods for semiconductor photodiode and phototransistor
2015-04-30发布
2015-10-01实施
目 次
1 范围..........…........................1
2 规范性引用文件.............................1
3 术语和定义.........................1
3.1 半导体光电二极管.........................................1
3.2半导体光电晶体管.....................................2
3.3 半导体光电二极管和光电晶体管......................................3
4.1 总则..............................3
4.2 测试仪器/仪表.......................................3
4.3 电源...........…........................4
4.4 测试环境条件.........................................................4 
5.1 半导体光电二极管正向电压 ...........................4
5.2 半导体光电二极管暗电流.............................5
5.3 半导体光电二极管反向击穿电压 ....…............................6
5.4 半导体光电二极管结电容.........................................7
5.5 率导体光电二极管阵列申扰.................................8
5.6 半导体光电二极管反向击穿电压温度系数...............................11
5.7 半导体光电二极管响应度.........................................12
5.8 半导体光电二极管阵列单元内响应度非均匀性 ........................13
5.9 半导体光电二极管阵列单元间响应度非均匀性..............14
5.10 半导体光电品体管集电极-发射极击穿电压....................15
5.11 半导体光电晶体管的和压降...............................16
5.12 半导体光电晶体管暗电流...........................................17
5.13 半导体光电二极管/光电品体管上升和下降时间...................................18
5.14 率导体光电二极管/光电晶体管光电流....................................20
1 范围
本标准规定了半导体光电二极管和光电晶体管（以下简称"器件"）光电参数的测试方法。本标准适用于半导体光电二极管和光电晶体管光电参数的测试。本标准不适用PIN、雪崩光电二极管的测试。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T2421.1—2008 电工电子产品环境试验 概述和指南
GB/T11499-2001 半导体分立器件文字符号
3 术语和定义