ICS 31.200
CCS L 59

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中华人民共和国国家标准
GB/T 42897—2023
微机电系统(MEMS)技术硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法
Micro-electromechanical systems(MEMS)technology—
Tensile strength test method for nano-scale membranes of silicon based MEMS
2023-08-06发布
2023-12-01实施
国家市场监督管理总局
发布国家标准化管理委员会
目次
前言 …………………………………………………………………………………………………………………Ⅲ
1 范围 …………………………………………………………………………………………………………………1
2 规范性引用文件 ……………………………………………………………………………………………1
3 术语和定义 …………………………………………………………………………………………………1
4 试验要求 ……………………………………………………………………………………………………1
5 试验方法 ………………………………………………………………………………………………………3
附录 A(资料性) 推荐形变量标尺结构及其指示数值读取方法 ………………………………………5
附录 B(资料性)纳米厚度膜抗拉强度原位片上试验机体硅工艺制备实例 …………………………6
附录C(资料性) 纳米厚度膜抗拉强度原位片上试验机尺寸建议 ……………………………………7
GB/T 42897—2023
微机电系统(MEMS)技术硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法
1 范围
本文件描述了硅基MEMS加工过程中所涉及的纳米厚度膜轴向抗拉强度原位试验的要求和试验方法。
本文件适用于采用微电子工艺制造的纳米厚度膜抗拉强度测试。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用干本文件。
GB/T 26111 微机电系统(MEMS)技术 术语
3 术语和定义
GB/T 26111界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
硅加工工艺 silicon process硅微加工技术。
注：虽然硅工艺一般分为表面微加工和体硅微加工，但其中的许多技术是相同的。[来源：GB/T 26111—2010,3.5.2]
3.2
原位片上抗拉强度试验机 in situ on-chip tensile strength tester
由测试结构和测试装置组成，并将二者集成在同一晶圆上采用同一硅加工工艺流程加工形成的用于评估工艺相关微纳结构抗拉强度的试验机。
3.3
测试结构 test structure
为了测量材料性能或微结构的性能专门制作的微纳结构。注：例如，悬臂梁或者是固定梁。[来源：GB/T 26111—2010,3.7.19,有修改]
3.4
测试装置 testing device将力或位移传递到测试结构同时可以读出力或位移的微结构。
4 试验要求
4.1 原位片上抗拉强度试验机的设计要求
原位片上抗拉强度试验机的结构示意图如图1所示。