您当前的位置:首页>国家标准>GB/T 42896-2023 微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法

GB/T 42896-2023 微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法

资料类别:国家标准

文档格式:PDF电子版

文件大小:14569 KB

资料语言:中文

更新时间:2023-10-10 08:42:06



推荐标签: 结构 mems 技术 冲击 尺度 方法 试验 机电系 42896

内容简介

GB/T 42896-2023 微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法 ICS 31.200
CCS L 59
中华人民共和国国家标准
GB/T 42896—2023
微机电系统(MEMS)技术硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法
Micro-electromechanical systems(MEMS)technology—Impact test method for nanostructures of silicon based MEMS
2023-08-06发布
2023-12-01实施
国家市场监督管理总局
发布国家标准化管理委员会
GB/T 42896—2023
目次
前言 …………………………………………………………………………………………………………………Ⅲ
1范围 …………………………………………………………………………………………………………………1
2 规范性引用文件 ……………………………………………………………………………………………1
3 术语和定义 …………………………………………………………………………………………………1
4 要求 ……………………………………………………………………………………………………………2
5试验方法 ……………………………………………………………………………………………………4
附录 A(资料性) 原位片上冲击试验机尺寸建议 ………………………………………………………6
附录B(资料性) 原位片上热驱动纳尺度结构冲击试验机测试实例 …………………………………7
微机电系统(MEMS)技术硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法
1 范围
本文件描述了硅基MEMS制造技术中所涉及的纳尺度膜结构沿厚度方向冲击试验的要求和试验方法。
本文件适用于采用微电子工艺制造的纳尺度结构在一次冲击负荷作用下的耐冲击性能的测试。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2900.28 电工术语 电动工具GB/T 26111 微机电系统(MEMS)技术 术语
GB/T36416.1 试验机词汇 第1部分:材料试验机
3 术语和定义
GB/T 2900.28、GB/T26111和GB/T36416.1界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
硅加工工艺 silicon process硅微加工技术。
注:虽然硅工艺一般分为表面微加工和体硅微加工,但其中的许多技术是相同的。[来源:GB/T 26111—2010,3.5.2]
3.2
原位片上冲击试验机 in situ on-chip impact tester
由测试结构和测试装置组成,并将二者集成在同一晶圆上采用同一工艺流程加工形成的用于评估工艺相关微纳结构抗冲击性能的试验机。
3.3
测试结构 testing structure
为了测量材料性能或微结构的性能专门制作的微纳结构(例如,悬臂梁或者是固定梁)。注:本文件中为双端固定梁。[来源:GB/T 26111—2010,3.7.19,有修改]
3.4
测试装置 testing device将力或位移传递到测试结构同时可以读出力或位移的微结构。
上一章:GB/T 41247-2023 电子商务直播售货质量管理规范 下一章:GB/T 42897-2023 微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法

相关文章

GB/T 42896-2023 正式版 微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法 GB/T 42895-2023 正式版 微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS微结构弯曲强度试验方法 GB/T 42897-2023 微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法 GB/T 42897-2023 正式版 微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法 GB/T 38447-2020 微机电系统(MEMS)技术 MEMS结构共振疲劳试验方法 GB/T 38341-2019 微机电系统(MEMS)技术MEMS器件的可靠性综合环境试验方法 GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法 GB/T 34894-2017 微机电系统(MEMS)技术基于光学干涉的MEMS微结构应变梯度测量方法