ICS 29.045 CCS H 83
中华人民共和国国家标准
GB/T 20229—2022 代替GB/T 20229—2006
磷 化 镓 单 晶Gallium phosphide single crystal
2022-03-09发布
2022-10-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T 20229—2022
磷 化 镓 单 晶
1 范围
本文件规定了磷化镓单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。
本文件适用于制作光电、微电及声光器件用的磷化镓单晶锭及磷化镓单晶研磨片。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 2828.1——2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划
GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 6621 硅片表面平整度测试方法GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T14264 半导体材料术语GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法
SJ/T11488 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
3 术语和定义
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 牌号
磷化镓单晶锭和磷化镓单晶研磨片的牌号表示方法应符合GB/T14844的规定。
5 技术要求
5.1 磷化镓单晶锭特性5.1.1 电学性能
磷化镓单晶锭的电学性能应符合表1的规定。
GB/T 20229-2022
表1 电学性能
导电类型
掺杂剂
电阻率Q·cm
载流子浓度cm-2
迁移率cm/(Vs)
n型
s
0.01~0.5
1.0×10*~1.0×10
≥100
Te
0.01～0.5
1.0×10~1.0×10*
≥100
非掺
0.5×1017~2.0×1012
≥110
P型
Zn
≥1×10
≥20
半绝缘型（SD
Fe
≥5×10
5.1.2 晶向
磷化镓单晶锭的晶向为<111>。5.1.3 位错密度
磷化镓单晶锭的位错密度应符合表2的规定。
表2 位错密度
级别
位错密度个/cm²
S
≤1×10°
=
≤3×10³
=
≤5×10
5.1.4 外观质量
磷化镓单晶锭的表面应无裂纹、无夹杂、无微孔等。5.2 磷化镓单晶研磨片特性5.2.1 电学性能、位错密度
磷化镓单晶研磨片的电学性能、位错密度应分别符合磷化镓单晶锭特性中5.1.1、5.1.3的要求，由供方提供对应磷化镓单晶锭的检验结果。5.2.2 表面取向
磷化镓单晶研磨片的表面取向为（111），偏离范围为±0.5°。5.2.3 几何参数
磷化镓单晶研磨片的几何参数应符合表3的规定。