GB/T 11094-2020 代替 GB/T 11094-—2007
水平法砷化镓单晶及切割片
Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman met hod
2021-08-01 实施
2020-09-29 发布
前言
本标准按照 GB/T1.1—2009 给出的规则起草。
本标准代替GB/T 11094—2007《水平法砷化镓单晶及切割片》。与GB/T 11094—2007相比，除编辑性修改外，主要技术变化如下∶
——删除了范围中的单晶锭及微波器件（见 2007 年版的第 1章）;
——删除了规范性引用文件中的GJB 1927，增加了GB/T 13388、GB/T14844（见第2章，2007年 版的第 2 章）;
——删除了术语和定义中的 3.1～3.8（见 2007 年版的第 3 章）;
——修改了产品的牌号表示方法及分类（见第 4 章，2007年版的第 4 章）;
——修改了砷化镓单晶生长方向中的偏转角度（见 5.1.1，2007 年版的 4.3.1）;
——删除了半绝缘砷化镓单晶的要求及试验方法（见 2007年版的4.3.2、4.4.3、5.1）;
——删除 n 型非掺杂砷化镓单晶的要求（见 2007 年版的 4.3.2）;
——修改了p型掺锌砷化镓单晶的载流子浓度范围（见 5.1.2，2007年版的 4.3.2）;
——修改了位错密度的分级及要求（见 5.1.3，2007 年版的 4.3.3）;
——增加了直径 82.0 mm砷化镓切割片及对应砷化镓单晶的要求（见 5.1.4.2、5.2）;
——晶锭高度误差不大于4mm改为单晶厚度变化应不大于2mm（见5.1.4.2，2007年版的4.4.1）;
——增加了关于砷化镓切割片电学性能、位错密度的说明（见 5.2.1）;
——修改了砷化镓切割片厚度的要求（见 5.2.3，2007 年版的 4.5.1）;
——修改了砷化镓切割片晶向偏离的要求（见 5.2.4，2007年版的 4.5.2）;
——修改了砷化镓单晶及切割片的试验方法（见第6章，2007年版的第5 章）;
——修改了砷化镓单晶及切割片的检验规则相关内容（见第7章，2007年版的第6章）。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC 203/SC 2）共同提出并归口。