GB/T 11094-2020 代替GB/T11094一2007
水平法砷化镓单晶及切割片
Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman met hod
2020-09-29发布
2021-08-01实施
前 言
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。
本标准代替 GB/T11094一2007《水平法砷化镓单晶及切割片》。与GB/T 11094一2007相比，除编辑性修改外，主要技术变化如下∶
——删除了范围中的单品铵及微波器件（见 2007年版的第1意）;
——删除了规范性引用文件中的GJB 1927，增加了GB/T13388、GB/T 14844（见第2 章，2007年版的第2章）;
——删除了术语和定义中的3.1～3.8（见 2007年版的第3章）;
——修改了产品的牌号表示方法及分类（见第 4章，2007年版的第4章）;
——修改了砷化够单晶生长方向中的偏转角度（见5.1.1，2007年版的 4.3.1）;
——删除了半绝缘砷化嫁单晶的要求及试验方法（见 2007年版的4.3.2、4.4.3、5.1）;
——删除n型非掺杂砷化镓单晶的要求（见 2007年版的4.3.2）;
——修改了p型掺锌砷化镓单晶的载流子浓度范围（见5.1.2.2007年版的4.3.2）;
——修改了位错密度的分级及要求（见5.1.3，2007年版的4.3.3）;
——增加了直径 82.0 mm 砷化嫁切制片及对应砷化镓单晶的要求（见5.1.4.2.5.2）;
——晶锭高度误差不大于4mm改为单晶厚度变化应不大于2 mm（见5.1.4.2，2007年版的4.4.1）;
——增加了关于砷化嫁切割片电学性能、位错密度的说明（见 5.2.1）;
——修改了砷化镓切割片厚度的要求（见 5.2.3，2007年版的4.5.1）;
——修改了砷化锋切割片晶向偏离的要求（见 5.2.4，2007年版的4.5.2）;
——修改了砷化镓单晶及切割片的试验方法（见第6章，2007年版的第5章）;
——修改了砷化够单晶及切割片的检验规则相关内容（见第7章，2007年版的第6章）。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC 203/SC 2）共同提出并归口。
1 范围
本标准规定了水平法砷化镓单晶（以下简称砷化镓单晶）及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。
本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化镓单晶及切割片。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 2828.1一2012 计数抽样检验程序 第1部分∶按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划
GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T8760 砷化镓单品位错密度的测量方法
GB/T13388 硅片参考面结晶学取向 X射线测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T14844 半导体材料牌号表示方法