ICS 29.045 CCS H 83
中华人民共和国国家标准
GB/T 20230—2022 代替GB/T 20230—2006
磷 化 铟 单 晶Indium phosphide single crystal
2022-03-09发布
2022-10-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T 20230-2022
磷 化 铟 单 晶
1 范围
本文件规定了磷化铟单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。
本文件适用于制作光电、微电器件用的磷化铟单晶锭及磷化铟单晶抛光片。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划
GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法GB/T 14264 半导体材料术语GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法GB/T 26067 硅片切口尺寸测试方法GB/T32278 碳化硅单晶片平整度测试方法
SJ/T 11488 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
3 术语和定义
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 牌号4.1 磷化铟单晶锭
磷化铟单晶锭的牌号表示方法如下：
□-InP-□()-<)
——表示晶向
——表示导电类型，括号内用元素符号表示掺杂剂——表示磷化铟单晶锭————表示单晶的生长方法