GB/T 8760-2020代替 GB/T~ 8760—2006
砷化镓单晶位错密度的测试方法
Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide
2021-08-01 实 施
2020-09-29发布
前 言
本标准按照 GB/T 1.1—2009 给出的规则起草。
本标准代替 GB/T 8760—2006《砷化镓单晶位错密度的测量方法》。本标准与 GB/T 8760—2006相比，除编辑性修改外主要技术变化如下∶
——修改了标准范围中的规定内容和适用范围（见第1章，2006 年版的第1章）;
——增加了规范性引用文件（见第 2 章）;
——删除了位错、位错密度的术语和定义，增加了引导语"GB/T 14264 界定的术语和定义适用于本文件"（见第3 章，2006 年版的 2.1、2.2）;
——删除了方法原理中"采用择优化学腐蚀技术显示位错"的内容（见第 4 章，2006 年版的第3 章）;
——增加了"除非另有说明，测试分析中仅使用确认为分析纯及以上的试剂，所用水的电阻率不小于12 MΩ · cm"（见第5章）;
——修改了氢氧化钾、硫酸、过氧化氢的要求（见第 5 章，2006 年版的第 4 章）;
——修改了抛光液的要求（见 5.4，2006 年版的 5.3）;
——仪器设备中增加"铂坩埚或银坩埚"（见6.3）;
——修改了试样制备的要求（见第 7 章，2006 年版的第 5 章）;
——增加了使用带数码成像的金相显微镜测试时的视场面积和测试点选取的要求（见 8.2.2、8.3，1）;
——增加了位错腐蚀坑较多且有重叠时的计数方法以及形貌图（见 8.4.2）;
——试验数据处理中的计算公式用 S-'代替C（见第 9章，2006 年版的第 8 章）;
——修改了章标题，并增加精密度的技术要求（见第 10 章，2006 年版的第 9 章）。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC 203/SC 2）共同提出并归口。