GB/T 5252-2020 代替 GB/T 5252—2006
锗单晶位错密度的测试方法
Test method for dislocation density of monocrystal germanium
2021-04-01实施
2020-06-02发布
本标准按照GB/T1.1一2009 给出的规则起草。
本标准代替GB/T5252—2006《锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》。本标准与GB/T5252一2006 相比，除编辑性修改外主要技术变化如下∶
——修改了标准适用范围（见第1章，2006年版的第1章）;
——增加了规范性引用文件（见第2章）;
——修改了术语和定义（见第3章，2006 年版的第2章）;
——修改了方法原理的内容（见第4章，2006年版的第3章）;
——将2006年版标准"试样制备"中的试剂材料修改为单独章节（见第5章，2006年版的第4章）;
——修改了试样制备的要求（见第7章，2006 年版的第4章）;
——增加了直径110 mm、130mm、150 mm锗单晶的测试点位置（见8.3）;
——增加了位错腐蚀坑计数的注意事项（见8.5）;
——修改了试验数据处理的内容（见第9章，2006年版的第7章）;
——以位错密度1000cm-²为分界值，修改了精密度（见第10章，2006年版的第9章）;
——修改了试验报告包含的内容（见第11章，2006年版的第8章）。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。