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GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

资料类别:国家标准

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更新时间:2020-11-07 10:42:25



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内容简介

GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 GB/T 34481-2017
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
Test method for measuring etch pit density(EPD)in low dislocation density monocrystalline germanium slices
2018-07-01 实施
2017-10-14发布
前  言
本标准按照GB/T 1.1—2009 给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口.
 
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