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GB/T 21636-2021 微束分析 电子探针显微分析(EPMA) 术语

资料类别:行业标准

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资料语言:中文

更新时间:2023-12-13 17:07:48



推荐标签: 术语 电子 分析 探针 21636 epma

内容简介

GB/T 21636-2021 微束分析 电子探针显微分析(EPMA) 术语 ICS 01.040.71;71.040.99 CCS G 04
GB
中华人民共和国国家标准
GB/T21636—2021/IS0O23833:2013
代替GB/T21636—2008
微束分析
电子探针显微分析(EPMA) 术语 Microbeam analysis--Electron probe microanalysis (EPMA)-
Vocabulary
(ISO23833:2013,IDT)
2022-07-01实施
2021-12-31发布
国家市场监督管理总局 发布
国家标准化管理委员会 GB/T21636—2021/ISO23833:2013
目 次
前言引言 1 范围
III
I
规范性引用文件 3 缩略语电子探针显微分析用一般术语定义
2
4
5描述电子探针显微分析仪器的术语定义 6用于电子探针显微分析方法的术语定义参考文献索引
16 24 25
... GB/T21636—2021/ISO23833:2013
前 言
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则 」第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
本文件代替GB/T21636一2008《微束分析电子探针显微分析(EPMA) 术语》,与GB/T21636 2008相比,增加了第2章规范性引用文件,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下:
a)增加了部分术语和定义(见4.5.5和5.6.4.5.3); b) 更改了背散射电子像、二次电子像、吸收电流像及特征X射线的术语和定义(见4.4.1、5.4.2、
5.4.11、5.4.12,2008年版的3.4.1、4.4.2、4.4.11、4.4.12);更改了部分术语(见5.4.7、5.4.8、5.5.1、5.6.8、5.6.14.2、6.6.8,2008年版的4.4.7、4.4.8、4.5.1、 4.6.8、4.6.14.2、5.6.8)
)
d)增加了部分术语的注解和内容(见4.5.5、5.1.2、5.2.2、5.4.7、5.6.2)。 本文件等同采用ISO23833:2013《微束分析 电子探针显微分析(EPMA) 术语》。 本文件增加了“规范性引用文件”一章。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国微束分析标准化技术委员(SAC/TC38)会提出并归口。 本文件起草单位:中国科学院上海硅酸盐研究所。 本文件主要起草人:曾毅、李香庭。 本文件于2008年首次发布,本次为第一次修订。
Ⅱ GB/T21636—2021/ISO23833:2013
引言
电子探针显微分析(EPMA)是微束分析(MBA)领域中一个应用极为广泛的现代技术。电子探针显微分析能对固体材料(包括金属、合金、陶瓷、玻璃、矿物、聚合物、粉末等)的微米尺度范围内进行元素定性、定量分析及显微结构分析,已广泛应用于材料科学、高技术产业、基础工业、农业、冶金、地质、生物、医药卫生、环境保护、商检贸易乃至刑事法庭等领域。各技术领域的术语标准是该领域标准化发展的先决条件之一,本文件是有关电子探针显微分析的术语。
电子探针显微分析是一门综合性的技术,术语涉及物理、化学、电子学等广泛的学科领域。本文件只限于定义电子探针显微分析(EPMA)标准化实践中使用和直接有关的术语,其内容包括:
电子探针显微分析用一般术语定义;一描述电子探针显微分析仪器的术语定义;

用于电子探针显微分析方法的术语定义。
IV GB/T21636—2021/ISO23833:2013
微束分析
电子探针显微分析(EPMA) 术语
1范围
本文件界定了电子探针显微分析(EPMA)实践中使用的术语,包括一般概念的术语和按仪器、分析方法分类的特定概念的术语。
本文件适用于相关领域(SEM、AEM、EDX等)的所有标准和实践文件中通用术语的定义。
2规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3缩略语
下列缩略语适用于本文件。 BSE:背散射电子(backscatteredelectron) CRM:有证参考物质、标准样品(certifiedreferencematerial) EDS:能谱仪(energy-dispersivespectrometer) EDX:能谱法(energy-dispersiveX-rayspectrometry) EPMA:电子探针显微分析(electronprobemicroanalysis)
电子探针显微分析仪(electronprobemicroanalyzer)
eV:电子伏(electronvolt) keV:千电子伏(kiloelectronvolt) SE:二次电子(secondaryelectron) SEM:扫描电子显微镜(scanningelectronmicroscope) WDS:波谱仪(wavelength-dispersivespectrometer) WDX:波谱法(wavelength-dispersiveX-rayspectrometry)
4电子探针显微分析用一般术语定义
4.1
电子探针显微分析electronprobemicroanalysis;EPMA 根据聚焦电子束与试样微米至亚微米尺度的体积相互作用激发X射线的谱学原理,对电子激发体
积内的元素进行分析的技术。 4.1.1
定性电子探针显微分析qualitativeEPMA 通过标识X射线谱峰的方法来鉴别试样电子激发体积中元素组成的电子探针显微分析方法。
1 GB/T21636—2021/ISO23833:2013
4.1.2
定量电子探针显微分析 FquantitativeEPMA 对电子束激发区定性分析所鉴定的元素进行浓度测定的电子探针显微分析方法。 注:定量分析可以在相同条件下,对测量的未知试样X射线强度与标准物质的X射线强度相比较完成,或者根据
基本原理计算浓度,后者也称为无标样分析。
4.2
电子探针显微分析仪 electronprobemicroanalyzer;EPMA 基于电子激发X射线显微分析的仪器。 注:这种仪器通常配置一道以上的波谱仪和用于精确定位试样的光学显微镜。
4.3
电子散射electronscattering 具有一定能量的入射电子与试样中原子或电子相互作用后,其轨迹和/或动能发生改变的现象。
4.3.1
散射角 angleof scattering;scatteringangle 粒子或光子入射方向与这些粒子或光子经散射后的运动方向之夹角。 【来源:ISO18115-1:2010]
4.3.2
背散射backscattering 人射电子在试样中经多次散射后从试样入射面逸出。
4.3.2.1
背散射系数 backscattercoefficient 7 背散射电子所占人射束电子的分数,由下式给出: n=n(BS)/n(B) 式中: n(B) )一人射束电子数; n(BS)- 背散射电子数。
4.3.2.2
背散射电子 子backscatteredelectron 通过背散射过程从试样入射表面出射的电子。
4.3.2.3
背散射电子角分布backscatteredelectronangulardistribution 背散射电子相对于试样表面法线所成夹角的函数分布。
4.3.2.4
背散射电子深度分布 backscatteredelectrondepthdistribution 背散射电子在逸出人射表面之前进人试样所达最大深度的函数分布。
4.3.3
连续能量损失近似 以continuous energy loss approximation 入射电子在物质中运动时能量损失的一种数学描述,其中把不连续的非弹性过程近似为单一的连
续能量损失过程。
注:也称为连续减速近似(CSDA)。
2
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