ICS 29.045 H 82
YS
中华人民共和国有色金属行业标准
YS/T 1167—2016
硅单晶腐蚀片 Monocrystalline silicon etched wafers
2017-01-01实施
2016-07-11发布
中华人民共和国工业和信息化部 发布 中华人民共和国有色金属
行业标准硅单晶腐蚀片 YS/T 1167-2016
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中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号（100029) 北京市西城区三里河北街16号（100045）
网址www.spc.net.cn
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开本880×12301/16 印张0.75 字数18千字 2018年9月第一版 2018年9月第一次印刷
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书号：155066·2-44939 定价25.00 1元
如有印装差错 由本社发行中心调换
版权专有侵权必究举报电话：(010)68510107 YS/T11672016
前言
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243)提出并归口。 本标准起草单位：天津市环欧半导体材料技术有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、洛阳鸿
泰半导体有限公司、有研半导体材料有限公司、杭州海纳半导体有限公司。
本标准主要起草人：由佰玲、张雪因、蒋建国、孙燕、王飞尧、沈浩平。
一 YS/T1167—2016
硅单晶腐蚀片
1范围
本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存质量证明书和订货单（或合同）内容。
本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子嫂变和气相掺杂）制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片（以下简称腐蚀片）。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序第1部分按接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻率测试方法非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12962 硅单品 GB/T12965 硅单晶切割片和研磨片 GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T 20503 铝及铝合金阳极氧化 阳极氧化膜镜面反射率和镜面光泽度的测定 20°、45°、60°
85°角度方向
GB/T 26067 硅片切口尺寸测试方法 GB/T29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 GB/T30453 硅材料原生缺陷图谱 YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法 YS/T28 硅片包装
3术语和定义
GB/T14264和GB/T30453界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
1 YS/T 1167—2016
3.1
表面光泽度surfaceglossiness 在规定的光源和接收器张角的条件下，样品在镜面反射方向的反射光光通量与标准陶瓷板样品在
该镜面反射方向的反射光通量之比。光泽度值通常以数值表示，单位是Gs（光泽单位）。 3.2
表面反射率 surfacereflectivity 在规定的光源和接收器张角的条件下，样品在镜面反射方向的反射光光通量与人射光光通量之比，
其数值通常以百分数表示。 3.3
表面腐蚀晶胞 surface etched unit cell 硅单晶片的不同晶面腐蚀速率不同，腐蚀过程中晶胞的三维形貌发生变化后在硅单晶片表面形成
的图形。通过显微镜能够观察硅单晶片表面腐蚀晶胞的形貌并测量腐蚀晶胞的长、宽等参数。
注：面腐蚀晶胞的形貌强烈依赖于硅单品片的品向和掺杂剂浓度、化学腐蚀液性质、腐蚀工艺条件等。酸腐蚀和
碱腐蚀的硅单品片表面腐蚀品胞具有完全不同的形貌，参见附录人，
4牌号及分类
4.1牌号
腐蚀片的牌号表示方法参照GB/T14844的规定 4.2分类 4.2.1腐蚀片按腐蚀液的种类分为酸腐蚀片、碱腐蚀片两种， 4.2.2 腐蚀片按导电类型分为N型、P型两种。 4.2.3 腐蚀片按硅单晶的生长方法分为直拉(CZ)法和悬浮区熔（FZ)法两大类。 4.2.4腐蚀片按直径一般分为$50.8mm、g76.2mm、g100mm、g125mm、§150mm和2c0mm六种。非标准直径由供需双方协商。
5要求 5.1材料
腐蚀片生产用硅单晶的导电类型、掺杂剂、电阻率及其径向变化、氧含量、碳含量、少数载流子寿命及晶体完整性应符合GB/T12962的规定。 5.2电学性能
腐蚀片的导电类型、电阻率及其径向变化应符合GB/T12962的规定。 5.3几何参数
腐蚀片的几何参数按表1的规定。表1中未列出的几何参数，可由供需双方协商。
2 YS/T1167—2016
表1几何参数
项目直径/mm
要求
50.8 ±0.4 ≥180 ± 10 <5 ≤25
76.2 ±0.5 ≥180 ± 10 7 ≤30
100 ±0.5 ≥200 ±10 <7 ≤40
125 ±0.3 ≥250 ±10 <7 ≤40
150 ±0.3 ≥300 ± 10 7 ≤50
200 ±0.2 ≥500 ±10 <6 >50
直径允许偏差/mm 中心点厚度/um 厚度允许偏差/um 总厚度变化"/μm
翘曲度/μm 反射率要求比较高的酸腐蚀片的总厚度变化应不大于10um，或由供需双方协商确定。
5.4晶向及晶向偏离度 5.4.1 腐蚀片的表面晶向为100）、111）。 5.4.2腐蚀片的表面晶向的偏离度应符合GB/T12965的规定。 5.5 基准标记 5.5.1.直径小于或等于150mm的腐蚀片主、副参考面的长度和取向应符合GB/T12965的规定。 5.5.2直径为200mm的腐蚀片分有切口的腐蚀片和有参考面的腐蚀片两种，均无副参考面，有参考面的用主参考面直径表征基准标记。切口大小和主参考面的大小、取向应符合GB/T12965的规定。 5.5.3腐蚀片是否制作参考面，由供需双方协商确定并在合同中注明。 5.6 表面质量 5.6.1月 腐蚀片崩边的径向深度和周边边长应不大于0.3mm，每片腐蚀片上崩边总数应不超过3个。每批产品中崩边腐蚀片数应不超过总片数的3%。 5.6.2腐蚀片不允许有裂纹、缺口。 5.6.3 腐蚀片表面应无刀痕、无划伤。 5.6.4 腐蚀片经清洗干燥后，表面应洁净、无亮点、无沾污。 5.6.5 电阻率不大于0.020Q·cm的腐蚀片，表面允许有杂质条纹。 5.6.6 表面取向为100)的酸腐蚀片，表面允许有轻微色泽不均，或由供需双方协商确定。 5.6.7 腐蚀片的表面粗糙度、表面光泽度、表面反射率的要求由供需双方协商确定。 5.6.8 碱腐蚀片的表面腐蚀晶胞最大边长由供需双方协商确定。 5.7 边缘轮廓
经边缘倒角后的腐蚀片圆周上所有点（有切口时，切口内的点除外）应处于使用YS/T26测量模板的清晰区域内，且腐蚀片边缘轮廓的任何部位不允许有锐利点或凸起物，特殊要求可由供需双方协商确定。 5.8其他
需方如对腐蚀片的技术指标有其他要求，应由供需双方协商并在合同中注明。
3 YS/T1167—2016
6 试验方法
6.1 腐蚀片导电类型的检验按GB/T1550的规定进行。 6.2 腐蚀片电阻率的检验按GB/T6616的规定进行。 6.3 腐蚀片径向电阻率变化的检验按GB/T11073的规定进行。 6.4 腐蚀片直径及允许偏差测量按GB/T14140的规定进行。 6.5 腐蚀片中心点厚度、厚度允许偏差和总厚度变化的测量按GB/T6618的规定进行。 6.6 腐蚀片翘曲度的测量按GB/T6620的规定进行 6.7 腐蚀片晶向及晶向偏离度检验按GB/T1555的规定进行。 6.8 腐蚀片参考面长度测量按GB/T13387的规定进行。 6.9 腐蚀片的主参考面直径测量由供需双方协商确定。 6.10 腐蚀片的主参考面取向检验按GB/T13388的规定进行。 6.11 腐蚀片的切口尺寸的测量按GB/T26067的规定进行。 6.12 腐蚀片的表面质量在4301x～6501x的荧光灯或乳白灯下进行目视检查。 6.13 腐蚀片表面粗糙度的检验按GB/T29505的规定进行。 6.14 腐蚀片表面光泽度、表面反射率的检验参照GB/T20503规定的方法进行或由供需双方协商确定。 6.15 碱腐片表面腐蚀晶胞最大边长的检测方法由供需双方协商。 6.16 腐蚀片的边缘轮廓检验按YS/T26的规定进行。
7 检验规则
7.1检查和验收 7.1.1产品应由供方质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准和订货单的规定，并填写产品质量证明书。 7.1.2需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验，若检验结果与本标准或订货单的规定不符时，应在收到产品之日起3个月内向供方提出，由供需双方协商解决。 7.2组批
产品应成批提交验收，每批应由同一牌号、同一规格的腐蚀片组成。 7.3检验项目 7.3.1每批产品应对腐蚀片的导电类型、电阻率、径向电阻率变化、直径、中心点厚度、总厚度变化、翘曲度、晶向及晶向偏离度、参考面取向和长度、切口尺寸、主参考面直径、表面质量、边缘轮廓进行检验 7.3.2供需双方协商的检验项目有表面粗糙度、表面光泽度、表面反射率、表面腐蚀晶胞最大边长。 7.4取样 7.4.1非破坏性检验项目的检测取样按GB/T2828.1一般检查水平Ⅱ，正常检查一次抽样方案进行，或由供需双方协商确定的抽样方案进行。 7.4.2破坏性检验项目的检测取样按GB/T2828.1特殊检查水平S-2，正常检查一次抽样方案进行，或由供需双方协商确定的抽样方案进行。
4 YS/T1167—2016
7.5 检验结果的判定 7.5.1导电类型、晶向及晶向偏离度的检验结果中有一片腐蚀片不合格，则判该批产品为不合格。其他检验项目的合格质量水平（AQL）见表2。
表2合格质量水平
序号 1 2 3 4 L 6 7 o0 9
检验项目
合格质量水平（AQL）
电阻率径向电阻率变化直径及允许偏差厚度及允许偏差总厚度变化翘曲度参考面长度（或主参考面直径）切口尺寸参考面取向
1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 2.5 1.0 1.0 1.0 1.0 2.0 1.5 1.0 1.5 1.5 1.5 1.5 2.5 1.5
崩边裂纹、缺口刀痕、划伤
表 亮点、沾污
杂质条纹轻微色泽不均表面粗糙度表面光泽度或表面反射率表面腐蚀晶胞最大边长累计
面质量
10
11
边缘轮廊
7.5.2 检验不合格的产品，供方可对该不合格项进行逐片检验，除去不合格品后，合格品重新组批。
8 标志、包装、运输、贮存和质量证明书
8.1 标志 8.1.1 腐蚀片的包装片盒应贴有产品标签，标签内容应至少包括以下内容：
a) 产品名称（牌号）； b) 产品片数； c) 产品规格； d) 产品批号； e) 生产日期。
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