ICS 29.045 CCS H 82
中华人民共和国国家标准
GB/T 26069—2022 代替GB/T 26069—2010
硅 单 晶 退 火 片
Annealed monocrystalline silicon wafers
2022-03-09发布
2022-10-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T 26069—2022
硅 单 晶 退 火 片
1 范围
本文件规定了硅单晶退火片（以下简称退火片）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片，产品用于技术代180 nm～22 nm 的集成电路。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 2828.1——2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划
GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T 12962 硅单晶
GB/T12965 硅单晶切割片和研磨片GB/T14264 半导体材料术语
GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法GB/T 29504 300 mm 硅单晶
GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法GB/T 29508 300 mm 硅单晶切割片和磨削片
GB/T 32280 硅片翘曲度和弯曲度的测试 自动非接触扫描法GB/T 39145 硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法YS/T 28 硅片包装
YS/T 679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1
退火片 annealed wafer
在中性或还原气氛中进行高温退火而导致硅抛光片近表面洁净区内无晶体缺陷【包括晶体原生凹坑（COP）】的硅片。