GB/T 12965-2018 代替GB/T 12965—2005
硅单晶切割片和研磨片
Monocrystalline silicon as cut wafers and lapped wafers
2019-06-01实施
2018-09-17发布
前
本标准按照GB/T1.1—2009 给出的规则起草。
本标准代替GB/T12965—2005《硅单晶切割片和研磨片》，与GB/T12965—2005相比，除编辑性修改外主要技术内容变化如下∶
—范围中将"本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片"改为"本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大于200 mm的圆形硅单晶切割片和研磨片"（见第1章，2005年版的第1章）;
———规范性引用文件中删除了GB/T 1552、GB/T1554、GB/T 12964，增加了GB/T 1551、GB/T6619、GB/T26067、GB/T 29507、GB/T32279、GB/T32280、YS/T 28（见第2章，2005 年版的第 2章））;
—删除了具体术语内容，改为"GB/T14264界定的术语及定义适用于本文件"（见第3章，2005年版的第3 章）;
—删除了按照硅单晶生长方法进行的分类，增加了"硅片按表面取向分为常用的{100}、{111}、{110}三种"（见4.2.2，2005年版的4.1）;
—将"物理性能参数"和"晶体完整性"合并改为"理化性能"（见5.1，2005年版的5.1、5.3）;
—增加了"电学性能"（见5.2）;
—修订了50.8 mm、125 mm、150 mm硅片的直径允许偏差，修订了100mm、125mm、150mm 直径切割片的厚度，修订了150mm和200mm 直径硅片的翘曲度要求（见表1，2005年版的表1）;
—增加了硅片弯曲度的要求（见5.3表1）;
—增加了主参考面直径和切口尺寸示意图（见图 1）;
—修订硅片的表面取向为"硅片的表面取向有{100、110}、{111}，常用的为{100}、{111}"（见5.4.1，2005年版的5.4.1）;
—增加了"未包含的其他晶向要求，由供需双方协商确定"（5.4.3）;
—删除了"硅片是否制作参考面，由用户决定"和"硅片主、副参考面取向及位置应符合表2及表1的规定"（见2005年版的5.4.3、5.4.4）;
—增加了直径不大于150 mm 硅片主、副参考面位置的示意图（见图 2）;
—修订了边缘轮廓的要求（见5.6，2005年版的5.7）;
—删除了硅片每个崩边的周长不大于2mm的规定，经倒角的研磨片对崩边的要求由"≤0.3 mm"修订为"无"，并将崩边径向延伸尺寸的要求单列为表4（见5.7.1表4，2005年版的
5.6.l);
—增加了电阻率、厚度和总厚度变化、翘曲度的另一种实验方法，并明确了仲裁方法（见6.2、6.5、6.7，2005 年版的6.2、611、6.12）;
—修订了硅片主参考面直径的测量方法（见6.8，2005年版的6.7））;
—"硅片切口尺寸的测量由供需双方确定"修订为"切口尺寸的测量按GB/T26067的规定进行"（见6.9，2005年版的6.8）;
—修订了检验项目，改为必检项目和供需双方协商检验的项目（见7.3.1、7.3.2，2005年版的7.3）;
—删除了破坏性检验项目的取样规定（见2005年版的7.4.2）;
—增加了订货单（或合同）内容（见第9章）。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。