前言
《半导体与集成电路》是电子工业生产技术手册的第三卷，这一卷又分为《半导体材料》、《硅器件与集成电路》、《化合物半导体器件》三篇（第6～8分册）。
半导体器件与集成电路在现代电子工业中占有极其重要的地位。一个国家的电子工业是否先进，在一定意义上取决于其半导体与集成电路工业是否先进，发达国家竞相建设"硅谷"的原因就在于此。
半导体器件与集成电路工业依赖于材料制备、先进的设计、现代化的装备和精细的加工工艺。进入80年代初，集成电路已向超大规模、集成系统、多层集成和砷化嫁集成电路发展;硅集成电路生产工艺的特点是晶片尺寸大（150～200mm）、光刻线条绷（1Hm 左右）、采用干法工艺和计算机辅助生产。先进的生产技术使得集成电路价格越来越低，整机性能越来越高，电子产品更新换代越来越快。所以生产工艺技术是进行半导体和集成电路大生产的基础，世界性的攀比竞争的焦点也在于此。
《半导体与集成电路》这一卷汇集了通用生产技术和工艺数据，其目的是促进我国半导体和集成电路工艺技术的提高。由于富集了大量常用的数据和资料，我们希望从事半导体生产、教学和研究的工程师、科学家、教师、管理干部和具有中专以上文化水平的人员能从中得到禅益。
《半导体材料》篇为本卷的第一篇，共分12章。重点是硅和砷化嫁半导体材料的制备工艺，参数测试，完整性分析以及质量控制等。同时对常用Ⅱ-V族和I-Ⅵ族半导体也进行了一定的论述。随着化合物半导体器件的发展，砷化综等化合物材料的制备工艺也将有很大的发展。
《硅器件与集成电路》为第二篇，共20章。重点介绍硅集成电 路工艺，特别是MOS 和双极型集成电路的通用工艺，包括计算机辅助制版、氧化、扩散、CVD、离子注入、光刻、隔离技术、芯片分析、封装和可靠性等等，这些工艺技术对分立器件同样是适用的。虽然硅工艺已很成熟，但由于硅集成电路正向微米以下工艺和多层集成发展，就要求不断地采用新工艺。
《化合物半导体器件》为第三篇，共分16章。本篇以GaAs半导体器件工艺为主，着重汇集了徼波和光电器件方面的工艺方法和有关数据，包括】-V族材料外延、亚微米光刻、离子注入、介质膜生长、有代表性的微波器件和光电器件的典型设计和工艺，以及可靠性等。由于I-V族半导体器件，尤其是GaAs集成电路正处于重要发展阶段，所以这方面的资料和数据介绍得比较多。