SJ/T 11767-2020
二极管低频噪声参数测试方法
Measurement method of low-frequency noise parameters for diodes
2020-12-09发布
2021-04-01 实施
前 言
电子元器件低频噪声参数测试方法的系列标准包括;《电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求》和具体电子元器件的低频噪声参数测试方法，后者包括但不限于∶《晶体管低频噪声参数测试方法》、《二极管低频噪声参数测试方法》、《光电规合器件低频噪声参数测试方法》、《由阳器低频唤声参数测试方法》等。
本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。
1 范围
本标准规定了二极管1Hz~300 kHz 频率范围内的噪声参数测试方法及要求。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T4023 半导体器件 分立器件和集成电路 第 2部分;整流二极管
GB/T6571 半导体器件 分立器件 第3部分∶信号（包括开关）和调整二极管
SJ/T11769 电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求
3 术语和定义
GB/T 4023、GB/T6571和
SJ/T11769界定的术语和定义适用于本文件。