GB/T 20228-2021代替GB/T20228-2006
砷化家单晶
Gallium arsenide single crystal
2021-05-21发布
2021-12-01实施
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第l部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
本文件代替GB/T20228一2006《砷化嫁单品》，与GB/T20228-2006相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
a）更改了标准的适用范围（见第1章，2006年版的第1章）：
b）增加了规范性引用文件GB/T13388（见第2章）；
c）刷除了“术语和定义”中的单品、品锭的定义（见2006年版的第3章）；
d）删除了按生长方法的分类（见2006年版的4.1.2），增加了按直径的分类（见4.2.2）；
e）删除了单品键的表示方法（见2006年版的4.3）；
f）原文件中的“单品”“单品锭”统一为“砷化嫁单品”（见第5章.2006年版的第5章）；
g）更改了尺寸的要求（见5.1，2006年版的5.3.2）；
h）更改了表面质量的要求（见5.2，2006年版的5.3.3）；
i）更改了参考面的要求（见5.3，2006年版的5.3.1），并增加了试验方法、检验规则中相应的内容（见6.3、第7章）：
j）增加了品向偏离度的要求（见5.4）；
k）更改了非掺半绝缘砷化家单品的霍尔迁移率、电阻率的要求（见5.5.2006年版的5.1.2）；
1）增加了截面电阻率不均匀性的要求（见5.5）及其计算方法（见6.5）；
m）增加了掺C半绝缘砷化惊单品的电学性能要求（见5.5）；
n）更改了位错密度的要求（见5.6，2006年版的5.2）；
o）更改了组批、检验项目、取样、检验结果判定的内容（见7.2~7.4.2006年版的7.3~7.5）；
p）更改了随行文件的内容（见8.5，2006年版的8.3）；
9）增加了“订货单内容”（见第9章）。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。