GB/T 4937.20-2018/IEC 60749-20:2008
半导体器件机械和气候试验方法第 20部分∶塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods— Part 20:Resistance of plastic encapsulated SMDs to the combined effect of moisture and soldering heat (IEC 60749-20:2008,IDT)
2019-01-01实施
2018-09-17发布
前言
GB/T4937《半导体器件 机械和气候试验方法》由以下部分组成∶
—第1部分∶总则;
—第2部分∶低气压;
—第3部分∶外部目检;
—第4部分∶强加速稳态湿热试验（HAST）;
一第5部分∶稳态温湿度偏置寿命试验;
—第6部分∶高温贮存;
—第7部分∶内部水汽含量测试和其他残余气体分析;
—第8部分∶密封;
—第9部分∶标志耐久性;
—第10部分∶机械冲击;
—第11部分∶快速温度变化 双液槽法;
—第12部分∶扫频振动;
—第13部分∶盐雾;
—第14部分∶引出端强度（引线牢固性）;
—第15部分∶通孔安装器件的耐焊接热;
一第16部分∶粒子碰撞噪声检测（PIND）;
—第17部分∶中子辐照;
—第18部分∶电离辐射（总剂量）;
—第19部分∶芯片剪切强度;
—第 20部分∶塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响;
—第 20-1部分∶对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输;
—第21部分∶可焊性;
—第 22部分∶键合强度;
—第 23部分∶高温工作寿命;
—第 24 部分∶加速耐湿无偏置强加速应力试验（HSAT）;
—第 25 部分∶温度循环;
—第 26 部分∶静电放电（ESD）敏感度试验 人体模型（HBM）;
—第27部分∶静电放电（ESD）敏感度试验 机械模型（MM）;
—第 28部分∶静电放电（ESD）敏感度试验 带电器件模型（CDM）器件级;
—第29部分∶门锁试验;
—第30部分∶非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理;
—第 31部分∶塑封器件的易燃性（内部引起的）;
—第32部分∶塑封器件的易燃性（外部引起的）;
—第33部分∶加速耐湿 无偏置高压蒸煮;
—第34 部分∶功率循环;
—第35部分∶塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查;
—第36部分∶恒定加速度;
—第37部分∶采用加速度计的板级跌藩试验方法;
—第38部分，半导体存储器件的软错误试验方法∶
—第39部分;半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量∶
—第40部分∶采用张力仪的板级跌落试验方法;
—第 41部分，非易失性存储器件的可靠性试验方法∶
—第 2 部分∶温度和湿度贮存;
—第43 部分;集成电路（IC）可靠性鉴定方案指南∶
第44部分，半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法。
本部分为GB/T 4937的第 20 部分。本部分按照GB/T1.1-209给出的规则起草.