GB/T 4937.201-2018/IEC 60749-20-1:2009
半导体器件机械和气候试验方法第20-1部分∶对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods— Part 20-1:Handling, packing,labelling and shipping of surface-mount devices sensitive to the combined effect of moisture and soldering heat (IEC 60749-20-1:2009,IDT)
2019-01-01实施
2018-09-17发布
前言
GB/T4937《半导体器件 机械和气候试验方法》由以下部分组成∶
——第1部分∶总则;
——第2部分∶低气压;
——第3部分∶外部目检;
——第4部分∶强加速稳态湿热试验（HAST）;
——第5部分∶稳态温湿度偏置寿命试验;
——第6部分∶高温贮存;
——第7部分∶内部水汽含量测试和其他残余气体分析;
——第8部分∶密封;
——第9部分∶标志耐久性;
——第10部分∶机械冲击;
——第11部分∶快速温度变化 双液槽法;
——第12部分∶扫频振动;
——第13部分∶盐雾;
——第14部分∶引出端强度（引线牢固性）;
——第15部分∶通孔安装器件的耐焊接热;
——第16部分∶粒子碰撞噪声检测（PIND）;
——第17部分∶中子辐照;
——第18部分∶电离辐射（总剂量）;
——第19部分∶芯片剪切强度;
——第 20 部分∶塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响;
——第20-1部分∶对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输;
——第21部分∶可焊性;
——第 22部分∶键合强度;
——第23部分∶高温工作寿命;
——第 24 部分∶加速耐湿 无偏置强加速应力试验（HSAT）;
——第 25 部分∶温度循环;
——第 26部分∶静电放电（ESD）敏感度试验 人体模型（HBM）;
——第 27部分∶静电放电（ESD）敏感度试验 机械模型（MM）;
——第 28部分∶静电放电（ESD）敏感度试验 带电器件模型（CDM） 器件级;
——第29部分∶门锁试验;
——第30部分∶非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理;
——第31部分∶塑封器件的易燃性（内部引起的）;
——第32 部分∶塑封器件的易燃性（外部引起的）;
——第33部分∶加速耐湿 无偏置高压蒸煮;
——第34部分∶功率循环;
——第35部分∶塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查;
——第36部分∶恒定加速度;
——第37部分∶采用加速度计的板级跌落试验方法;
——第 38部分;半导体存储器件的软错误试验方法;
——第39部分∶半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量;
——第 40部分∶采用张力仪的板级跌落试验方法;
——第41部分∶非易失性存储器件的可靠性试验方法;
——第 42部分∶温度和湿度贮存;
——第 43部分∶集成电路（IC）可靠性鉴定方案指南;
第 44部分∶半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法。
本部分是GB/T4937的第 20-1部分。
本部分按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。
本部分使用翻译法等同采用IEC60749-20-1∶2009《半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1 部分∶对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输》。与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下∶
——GB/T4937.20—2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第20部分∶塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响（IEC60749-20∶2008，IDT）
——GB/T4937.30—2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第30部分∶非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理（IEC60749-30∶2011，IDT）为便于使用，本部分做了下列编辑性修改∶
——表2（a）和表2（b）合并为表2，并将两个分表的标题分别融入到表格中;
——表2倒数第二行，第二列中的"2～6"更正为"B2～B6"。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本部分由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC 78）归口。