GB/T 11071-2018 代替GB/T11071—2006
区熔锗锭
Zone-refined germanium ingot
2019-07-01实施
2018-12-28发布
本标准按照GB/T 1.1 2009 给出的规则起草。
本标准代替GB/T 1071一206《区熔锗锭》，与GB/T11071-—206粗比，除编罪性修改外主要技术变化如下
——范围进一步明确为"本标准适用于以还原储键及储单晶返料为原料，经区熔提纯工艺制备得到区熔锗锭主要用于制备红外光学用的锗单晶、太阳能电池用的锗单晶及各类锗-铬、密-硅合金等"（见第 1章）.
——增加了区熔精锭在（23±0.5）℃下电阻率的要求（见3.2）。
——同一根锗锭的最大与最小截面面积之差不大于平均截画画积的 15%"修改为"同一根区熔锗锭的头尾两端的高度差不大于4mm"（见3.3.2006 年贩的3.3）。
——"锭长100 mm～500 mm"修订为"长度应不小于100mm"（见3.3.2006年贬的3.3）。
——增加了区熔锗锭的表面应无孔洞的要求（见3.4，206版的3.4）。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）归口。