GB/T  4059-2018 代替GB/T4059—2007
硅多晶气氛区熔基磷检验方法
Test method for phosphorus content in polycrystalline silicon by zone-melting method under controlled atmosphere
2019-11-01 实施
2018-12-28发布
GB/T 4059—2018
前  言
本标准按照GB/T 1.1——2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T4059—2007《硅多晶气氛区熔基磷检验方法》，与GB/T4059—2007相比，除编辑性修改外，主要技术变化如下∶
——基磷含量的测定范围由"0.002×10-～100×10》"修改为"0.01×101s cm3～500×10³ cm-"
（见第1章，2007年版的第1章）;
——调整了规范性引用文件，删除了GB/T1553、GB/T1554、GB/T155、GB/T 13389，增加了GB/T 1550、GB/T 4060、GB/T 4842、GB/T 8979、GB/T 11446.1—2013、GB/T 24574、GB/T24581、GB/T25915.1—2010（见第2章，2007年版的第2章）;
——修改了样芯的定义，
——删除了"空心钻头"（见3.3，2007年版的3.3）;
——修改了方法A和方法B的方法原理表述（见4.1、4.2.2007年版的4.1、4.2）;
——干扰因素中酸洗和区熔操作的环境修改为"不低于GB/T25915.1—2010规定的6级洁净环境"【见5.3.2007年版的第5章c）】;
——干扰因素中增加了样品处理过程、区熔速度、硅芯等3项对测试结果有影响的因素（见5.4、5.6、5.7);
——删除了干扰因素中关于区熔后硅单晶棒、测试环境的要求【见2007年版的第5章f）、第5章g)];
——修改了试剂和材料中去离子水、氩气的要求（见6.3、6.4，2007年版的6.3、6.5）;试剂和材料增加了氮气的要求（见6.5）;
——修改了试剂和材料中籽晶的要求，由"n型电阻率不低于500QΩ·cm的籽晶"修改为"籽晶应为无位错的N型（111〉高阻硅单晶，且施主杂质含量（原子数）小于2.5×10"cm，碳含量（原子数）小于5×105cm，晶向偏离度小于5""（见6.6，2007年版的6.1）;—对仪器设备中的"取芯设备"增加了要求【见7.1，2007年版的第7章 a）】;"真空内热式区熔炉"改为"内热式区熔炉"【见7.5，2007年版的第7章d）】;
——仪器设备中增加了超声清洗设备、氮气与氩气纯化装置、导电类型测试仪、两探针电阻率测试仪、低温红外光谱仪或光致发光光谱仪（见7.3、7.6、7.7、7.8、7.9）;
——删除了定性滤纸、真空吸尘器、洁净室专用的手套等实验室常用材料【见2007年版的第7章e）、第7章 1）、第7章g）】;
——修改了取样要求（见8.2、8.4，2007年版的8.2、8.4）;
——删除了"选择电阻率大于500Ω·cm，碳含量小于0.2×106，无位错，晶向偏离度小于5°的n型（111〉高阻硅单晶切割制备成的籽晶"（见2007年版的10.1.1）;
——将"籽晶必须在干燥后36h内使用"修改为"籽晶应予以密封进行洁净保护"（见10.1，2007年版的10.1.2）;
——增加了"清洗后的样芯宜用高纯氮气吹干"（见10.2.2）;
——删除了"清洁取芯钻""用不低于10 MQ·cm的去离子水清洁酸洗台"（见2007年版的10.3.1、10.3.2);
——"在清洁、真空抽吸后，预热样芯"修改为"在清洁、装料、真空抽吸、充氩气后，预热样芯"（见10.3，2007年版的10.3.3）;
——修改了试验步骤中的晶棒生长内容（见10.4，2007年版的10.4）;
——增加了"导电类型的测试按GB/T 1550的规定进行"【见10.5.2a）】;
——修改了试验步骤中的晶棒评价内容【见10.5.2b）.207 年版的10.5.2.4】;
——删除了昌向、品锭结品完整性、少数载流子寿命的测试（见2007年版的10.5.2.1、10.5.2.2、10.5.2.3)
——删除了允许差，增加了精密度（见第 12章，2007年版的第 12章）。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料际准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC 2）共同提出并归口。