GB/T 4060-2018 代替GB/T 4060—2007
硅多晶真空区熔基硼检验方法
Test method for boron content in polycrystalline silicon by vacum Zone-melting method
2019-06-01实施
2018-09-17发布
前言
本标准按照 GB/T 1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T4060—2007《硅多晶真空区熔基硼检验方法》，与GB/T4060—2007相比，除编辑性修改外主要技术变化如下∶
——增加了规范性引用文件GB/T620—2011、GB/T626—2006、GB/T1146.1—2013、GB/T25915.1—2010（见第 2 章）;
——修改了方法提要，将"以1.0mm/min的速度区熔提纯14次成晶后"改为"以不高于1.0mm/min 的速度多次区熔提纯后"（见第4章，2007年版的第4章）;
——在干扰因素中增加了"酸洗用的器皿、酸液和去离子水纯度、腐蚀速度、腐蚀温度、样品暴露时间都可能带来沾污，应加以控制"（见5.4）;
——删除了干扰因素中关于区熔后单晶的要求、测试环境（见2007年版的5.6、5.7）;
——在试剂和材料中"p型电阻率不低于3000Ω·cm的籽晶"修改为"籽晶应为无位错的P型<111）高阻硅单晶，且受主杂质含量（原子数）小于2.5×10²cm³、碳含量（原子数）小于5×10" cm-3、晶向偏离度小于5°"（见6.4，2007年版的6.1）;
——在仪器设备中的"取芯设备"修改为"取芯设备，可钻出直径约为15mm～20mm且长度不小于100 mm的多晶硅样芯"【见7.1，2007年版的7a）】;
——增加了两探针或四探针电阻率测试仪（见7.6）;
——增加了测试环境（见第8章）;
——在取样中"平行于硅芯钻取长180mm 左右，直径为15mm～20mm左右的样芯作样品"修改为"平行于硅芯钻取长度不小于100mm，直径为15 mm～20mm的样芯作样品"（见9.2，2007年版的8.2）;
——样芯距多晶硅棒底部的距离由"不低于50 mm"改为"不小于250mm"（见9.42007年版的8.4）;
——删除了"选择电阻率大于3000Ω·cm，碳含量小于0.2×106，无位错，晶向偏离度小于5°p型<11>高阻硅单晶切割制备成的籽晶"（见 2007年版的10.1.1）;
——在区熔拉晶步骤增加了"第1次与第2次提纯完成后，每次保留一个熔区长度的尾部，第3次
开始固定区熔长度"（见11.4）。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC 2）共同提出并归口。