GB/T 14142-2017 代替 GB/T 14142—1993
硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法
Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon-Etching technique
2018-04-01 实施
2017-09-29 发布
前 言
本标准按照 GB/T1.1—2009 给出的规则起草。
本标准代替GB/T 14142—1993《硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法》。
本标准与 GB/T14142—1993 相比，主要技术变化如下∶
——修订了方法提要（见第 4 章，1993 年版第 2 章）;
——增加了干扰因素（见第 5 章）;
——增加了无铬溶液及其腐蚀方法（见 5.2、6.13、9.2.2）。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC 203/SC 2）共同提出并归口。