您当前的位置:首页>行业标准>SJ/T 11586-2016 半导体器件10keV低能X射线总剂量辐射试验方法

SJ/T 11586-2016 半导体器件10keV低能X射线总剂量辐射试验方法

资料类别:行业标准

文档格式:PDF电子版

文件大小:9.42 MB

资料语言:中文

更新时间:2024-07-12 10:10:41



相关搜索: 辐射 半导体 方法 11586 射线 试验 器件 剂量 器件 低能

内容简介

SJ/T 11586-2016 半导体器件10keV低能X射线总剂量辐射试验方法
上一章:NB/T 25092-2018 核电厂实物保护系统调试技术导则 下一章:T/CEC 131.4-2016 铅酸蓄电池二次利用 第4部分:电池维护技术规范

相关文章

GB/T 4937.18-2018 半导体器件机械和气候试验方法第18部分∶电离辐射(总剂量) GB/T 12162.4-2010 用于校准剂量仪和剂量率仪及确定其能量响应的X和γ参考辐射 第4部分:低能X射线参考辐射场中场所和个人剂量仪的校准 GB/T 4937.18-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分:电离辐照(总剂量) T/CNS 82-2022 宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法 JJG 1009-2016 X、γ辐射个人剂量当量HP(10)监测仪检定规程 JJG 1009-2024 X、γ辐射个人剂量当量HP(10)监测仪检定规程 JJG 1009-2016 X、γ辐射个人剂量当量HP(10)监测仪 高清晰版 GB/T 13161-2015 辐射防护仪器 测量X、γ、中子和β辐射个人剂量当量Hp(10)和Hp(0.07) 直读式个人剂量当量仪