GB/T 4937.18-2018/IEC 60749-18:2002
半导体器件机械和气候试验方法第18部分∶电离辐射（总剂量）
Semiconductor devices—-Mechanical and climatic test methods—Part 18:Ionizing radiation(total dose) (IEC 60749-18:2002,IDT)
2019-01-01实施
2018-09-17发布
前 言
GB/T4937《半导体器件 机械和气候试验方法》由以下部分组成∶
——第1部分∶总则;
——第 2 部分∶低气压;
——第3部分∶外部目检;
——第4部分∶强加速稳态湿热试验（HAST）;
——第5部分∶稳态温湿度偏置寿命试验;——第6部分∶高温贮存;
——第7部分∶内部水汽含量测试和其他残余气体分析;
——第8部分∶密封;
——第9部分∶标志耐久性;
——第 10部分∶机械冲击;
——第11部分∶快速温度变化 双液槽法;
——第12部分∶扫频振动;
——第13部分∶盐雾;
——第14部分∶引出端强度（引线牢固性）;
——第15部分∶通孔安装器件的耐焊接热;
——第16部分∶粒子碰撞噪声检测（PIND）;
——第17部分∶中子辐照;
——第18部分∶电离辐射（总剂量）;
——第19部分∶芯片剪切强度;
——第 20部分∶塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响;
——第20-1部分∶对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输;
——第 21 部分∶可焊性;
——第 22部分∶键合强度;
——第 23部分∶高温工作寿命;
——第24部分∶加速耐湿 无偏置强加速应力试验（HSAT）;
——第25部分∶温度循环;
——第26部分∶静电放电（ESD）敏感度试验 人体模型（HBM）;
——第27部分∶静电放电（ESD）敏感度试验 机械模型（MM）;
——第28部分∶静电放电（ESD）敏感度试验 带电器件模型（CDM） 器件级;
——第 29部分∶门锁试验;
——第30 部分;非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理;
——第31 部分∶塑封器件的易燃性（内部引起的）;
——第32 部分∶塑封器件的易燃性（外部引起的）;
——第33部分∶加速耐湿 无偏置高压蒸煮;
——第34 部分∶功率循环;
——第35部分∶塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查;
——第36部分∶恒定加速度;
——第37部分∶采用加速度计的板级跌落试验方法;
——第38部分∶半导体存储器件的软错误试验方法;
——第39部分∶半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量;
——第 40部分∶采用张力仪的板级跌落试验方法;
——第 41部分∶非易失性存储器件的可靠性试验方法;
——第 42部分∶温度和湿度贮存;
——第 43部分∶集成电路（IC）可靠性鉴定方案指南;
——第44部分∶半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法。
本部分为GB/T 4937的第18部分。
本部分按照GB/T 1.1—2009 给出的规则起草。
本部分使用翻译法等同采用IEC60749-18∶2002《半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分∶电离辐射（总剂量）》。
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本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本部分由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC 78）归口。