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GB/T 32988-2016 人造石英光学低通滤波器晶片

资料类别:行业标准

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更新时间:2024-01-13 18:15:59



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内容简介

GB/T 32988-2016 人造石英光学低通滤波器晶片 ICS 31.160
L 21
GB
中华人民共和国国家标准
GB/T 32988—2016
人造石英光学低通滤波器晶片
Synthetic quartz crystal wafer for optical low pass filter (OLPF)
2017-09-01实施
2016-10-13发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
发布 GB/T32988—2016
目 次
前言 1 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 N
II
分级要求
5
5.1 晶片 5.2 尺寸与角度 5.3 晶片表面疵病 5.4 晶片的面形偏差 6 测试方法 6.1 包裹体和裂纹 6.2 条纹 6.3 尺寸 6.4 切向和角度偏差 6.5 倒角和倒边 6.6 垂直度 6.7 TV5 6.8 表面疵病 6.9 面形偏差检验规则
........
7
7.1 抽样方案 7.2 判定规则 7.3 型式检验 8包装、标识、交货条件 8.1包装 8.2标识 8.3 交货条件参考文献
2
..
2
X GB/T 32988—2016
前言
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由中国建筑材料联合会提出。 本标准由全国人工晶体标准化技术委员会(SAC/TC461)归口。 本标准起草单位:烁光特晶科技有限公司、浙江水晶光电科技股份有限公司。 本标准主要起草人:张绍锋、张璇、孙志文、王保新、尚继武、邱欢、华大辰。
Ⅲ GB/T32988—2016
人造石英光学低通滤波器晶片
1范围
本标准规定了人造石英光学低通滤波器晶片术语和定义、分级、要求、测试方法、检验规则及包装、 标识、交货条件。
本标准适用于人造石英光学低通滤波器晶片。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1185光学零件表面疵病 GB/T2828.1一2012计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽
样计划(ISO2859-11999)
GB/T2831光学零件的面形偏差 GB/T66182009硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T7895人造光学石英晶体 GB/T7896一2008人造光学石英晶体试验方法
3术语和定义
GB/T7895、GB/T1185和GB/T2831界定的以及下列术语和定义适用于本文件。为了便于使用,以下重复列出了上述某些术语和定义。 3.1
光学低通滤波器晶片 opticallow-passfilterwafer;OLPFwafer 用石英晶体等材料制作,其单片或多片组合并镀膜后,让某一频率以下的光信号分量通过,而抑制
该频率以上的光信号分量的光学基片。 3.2
有效区域fixedqualityarea;FQA 去除晶片边缘特定距离X的晶体表面中心区域。参考图1虚线所包含的区域注:FQA的边界通常指与晶片的边缘(包括基准边)相距X的所有点。 [IEC62276—2005,定义3.7.1]
3.3
包裹体inclusions 将晶体浸在折射率匹配液中,由光源的散射光来观测人造石英晶体中可见的外来物质。最普遍的
包裹体为锥辉石。
[GB/T7895—2008,定义3.6]
3.4
条纹striae 人造石英晶体中,晶体局部区域因折射率发生变化观察到的线条状缺陷。
1 GB/T32988—2016
[GB/T7895—2008,定义3.8]
3.5
裂纹crack 在晶片表面延伸的并可穿透或未穿透整个晶片厚度的破裂部分。
3.6
表面切向surfaceorientation 晶片表面法线的结晶学取向。
3.7
基准面orientationflat;OF 标明晶体基准方向的晶片外缘的平直部分,具有一定定向精度,通常指晶片长边所代表晶面
(图1)。
ba
5
FQA
OF
SF
b
说明:
倒角;倒边;0 方位角;
b-
p- 一倾角。
图1OLPF晶片示意图
3.8
第二基准面secondaryflat;SF 晶片外缘上,小于OF的另外一条平直面,通常指晶片短边所代表晶面,亦称为副基准面(图1)。
3.9
五点厚度差thicknessvariationforfivepoints;TV5 晶片厚度差的一种测量值,定义为5个厚度测量点之间的最大厚度差值。厚度测量的选点为晶片
中心和周边的四点(图1中标识的中心十字线与有效区域边界交点)。 3.10
倒角bevel 晶片相互垂直的两个基准面之间加工成一定角度的平面或圆弧面(图1)。其中标志性倒角用bM
表示。 3.11
倒边chamfer 晶片表面与基准面之间加工成一定角度的平面或圆弧(图1)。
2
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