ICS 19.100 N 77 备案号：44540—2014
中华人民共和国机械行业标准
JB/T116112013
无损检测仪器 涡流一磁记忆综合检测仪
Non-destructive testing instrument
-Eddy current and magnetic memory integrated testing instrument
2014-07-01实施
2013-12-31发布
中华人民共和国工业和信息化部发布 JB/T11611—2013
目 次
前言 1 范围... 2 规范性引用文件， 3 术语和定义 4要求... 4.1正常工作条件 4.2基本参数. 4.3功能要求. 5试验条件与仪器仪表. 5.1试验条件... 5.2 仪器仪表 6性能试验... 6.1 仪器一微结构. 6.2 涡流性能试验.. 6.3 磁记忆性能试验 6.4 耐温试验， 6.5 耐湿试验... 6.6 运输试验 7检验规则... 7.1 出厂检验 7.2 型式试验... 8标志、包装、运输和贮存 8.1标志.. 8.2包装. 8.3 运输和贮存附录A（资料性附录）涡流检测A型校准试块 A.1 材料与规格 A.2 人工缺陷附录B（资料性附录）涡流检测B型校准试块. B.1 材料与规格 B.2 人工缺陷.. 图1 涡流检测显示方式示意图图 2 磁记忆显示方式图3 涡流磁记忆同屏显示方式之图4 仪器功能框图图5 磁记忆探头小车移动轨道示意图图A.1 A型校准试块图B.1 B型校准试块.
I
f
L
X
C
10 10 10 10 11 12 2 12 1.3 13 13
12 13 JB/T116112013
4
表1 1耐温耐湿试验参数表2 2基本环境条件.. 表 3 3出厂检验及型式试验项目
. 5
· 9
II JB/T11611—2013
前言
本标准按照GB/T1.12009给出的规则起草。 本标准由中国机械工业联合会提出。 本标准由全国试验机标准化技术委员会（SAC/TC122）归口。 本标准起草单位：爱德森（厦门）电子有限公司、南昌航空大学、大亚湾核电运营管理有限责任公
司、国核电站运行服务技术公司、青岛华测检测技术有限公司、辽宁仪表研究所、装甲兵工程学院、中科院金属研究所、空军装备研究院航空所、硕德（北京）科技有限公司、深圳国技仪器有限公司。
本标准主要起草人：林俊明、任吉林、王琪、叶琛、郭冰、李洪国、董世运、蔡桂喜、雷洪、香勇、 李寒林、张力。
本标准为首次发布。
III JB/T11611—2013
无损检测仪器涡流-磁记忆综合检测仪
1范围
本标准规定了数字式涡流-磁记忆综合检测仪（以下简称仪器）的术语和定义、要求、检验方法、 检验规则和标志、包装、运输和贮存等内容。
本标准适用于数字式涡流-磁记忆综合检测仪。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T191--2008包装储运图示标志 GB/T2611—2007试验机通用技术要求 GB/T12604.6无损检测术语涡流检测 GB.T12604.10无损检测术语磁记忆检测 JB/T6147-2007试验机包装、包装标志、储运技术要求 JB/T 93291999 仪器仪表运输运输贮存基本环境条件及试验方法
3术语和定义
GB/T12604.6、GB/T12604.10界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
涡流-磁记忆综合检测技术eddycurrentandmagneticmemoryintegratedtestingtechnique 具有涡流与磁记忆检测能力，具备一体化软硬件结构，对获取的测试数据实现资源共享和综合处理
的技术，称为涡流-磁记忆综合检测技术。 3.2
相位线性 phase linearity 涡流检测的相位线性表示输出分量相位角与输入信号相位角两者间差值的稳定性。输入0°～360°
变化范围的相位角度时，在输出端获取输入-输出最大线性偏差。
4要求
4.1正常工作条件
仪器在下列条件下正常工作： a）环境温度-25℃～55℃； b）相对湿度不大于80% c）电源电压在（220土22）V以内； d）电源频率为（50士1）Hz。 JB/T11611—2013
4.2 基本参数 4.2.1 1涡流检测基本参数
涡流检测基本参数如下： a）工作频率范围； b）通道数； c）增益； d）相位； e）显示方式。
4.2.2磁记忆检测基本参数
磁记忆检测基本参数如下： a）磁场测量相对误差； b）位置测量相对误差； c）测量范围； d）测量通道数量； e）增益； f）显示方式； g）位置测量分辨力。
4.3 3功能要求 4.3.1涡流检测 4.3.1.1 频率
涡流检测工作频率范围至少在100Hz～2MHz，频率宜连续可调，最大频率偏差应小于1% 4.3.1.2 2通道数
涡流检测至少具有一个物理通道，宜具有2个或以上的物理通道数， 4.3.1.3相位
涡流检测应至少具有360°相位旋转功能，连续可调，步长不大于1°。应具有手动或自动相位、 幅度测量功能。 4.3.1.4增益
涡流检测增益范围应不小于50dB。宜具有X-Y增益比调节功能 4.3.1.5显示方式
涡流检测应至少具有时基扫描和阻抗平面图矢量两种涡流检测信号的显示方式，如图1a)、1b）所示。推荐仪器具有带刻度标识的检波前基频信号波形显示功能，如图1c）所示。 4.3.1.6灵敏度
用选定的检测探头应能使标准试块上0.5mm深人工缺陷的信号幅度达到全屏。参见附录A。相位线性相位最大线性示值偏差应不大于0.5°。
2 JB/T11611—2013
X1- Y
a）时基扫描显示
b）阻抗矢量显示图1涡流检测显示方式示意图
c）基频信号波形显示
4.3.1.7相位线性
相位最大线性示值偏差应不大于0.5° 4.3.1.8增益准确度
增益标称值与测量值间的最大线性偏差应不大于1dB。 4.3.1.9最大激励电压
最大激励电压是指当发生器输出不加载荷且将其输出电压调整到最大时的峰-峰值电压，该电压应不小于5V。 4.3.2磁记忆检测 4.3.2.1磁场测量相对误差
磁记忆检测的磁场测量的相对误差应不大于5%。 4.3.2.2位置测量相对误差
磁记忆检测的位置测量的相对误差应不大于5%。 4.3.2.3磁场测量范围
磁记忆检测的磁场测量范围至少为土1000A/m。 4.3.2.4噪声
磁记忆检测的噪声应不大于5A/m。 4.3.2.5通道数量
应至少具有2个检测通道。 4.3.2.6背景磁场抑制
磁记忆检测应具有抑制背景磁场干扰的功能。 4.3.2.7校准
磁记忆检测应具有利用大地磁场校准探头的功能
3 JB/T11611—2013
4.3.2.8增益
磁记忆检测的增益范围应不小于50dB。 4.3.2.9 显示方式
磁记忆检测应至少具有时基扫描显示方式，如图2a）所示。推荐仪器具有阴影显示方式及叠合显示方式，如图2b）、2c）所示。
S2
n
A
c）叠合显示
a）时基显示
b）阴影显示
图2磁记忆显示方式
4.3.2.10位置分辨力
磁记忆检测传感器的位置分辨力应不低于1mm， 4.3.3综合检测要求
仪器应具有涡流检测信号与磁记忆检测信号同时检测、综合处理、同屏显示功能，如图3所示。必要时，应具有补偿涡流探头与磁记忆探头位置差别的能力。 4.3.4通用要求 4.3.4.1外观质量
仪器的外观质量要求应符合GB/T2611一2007中第10章的规定。 4.3.4.2 耐温耐湿性能
仪器按表1规定的参数进行耐温耐湿试验，试验后各项性能指标应满足要求。
表1耐温耐湿试验参数温度试验
湿度试验
低温试验
高温试验
试验温度 保持时间 升温速度 试验温度 保持时间 降温速度 相对湿度 保持时间
C/min ≤1
℃ 25 ±3
C/min ≤1
% 80
℃ 55 ±3
h 8
h 24
h 8
4.3.4.3 运输试验
仪器在包装后应符合表2中规定的各项运输试验。试验后仪器的各项性能指标应满足要求。
4 ICS 19.100 N 77 备案号：44540—2014
中华人民共和国机械行业标准
JB/T116112013
无损检测仪器 涡流一磁记忆综合检测仪
Non-destructive testing instrument
-Eddy current and magnetic memory integrated testing instrument
2014-07-01实施
2013-12-31发布
中华人民共和国工业和信息化部发布 JB/T11611—2013
目 次
前言 1 范围... 2 规范性引用文件， 3 术语和定义 4要求... 4.1正常工作条件 4.2基本参数. 4.3功能要求. 5试验条件与仪器仪表. 5.1试验条件... 5.2 仪器仪表 6性能试验... 6.1 仪器一微结构. 6.2 涡流性能试验.. 6.3 磁记忆性能试验 6.4 耐温试验， 6.5 耐湿试验... 6.6 运输试验 7检验规则... 7.1 出厂检验 7.2 型式试验... 8标志、包装、运输和贮存 8.1标志.. 8.2包装. 8.3 运输和贮存附录A（资料性附录）涡流检测A型校准试块 A.1 材料与规格 A.2 人工缺陷附录B（资料性附录）涡流检测B型校准试块. B.1 材料与规格 B.2 人工缺陷.. 图1 涡流检测显示方式示意图图 2 磁记忆显示方式图3 涡流磁记忆同屏显示方式之图4 仪器功能框图图5 磁记忆探头小车移动轨道示意图图A.1 A型校准试块图B.1 B型校准试块.
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12 13 JB/T116112013
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表1 1耐温耐湿试验参数表2 2基本环境条件.. 表 3 3出厂检验及型式试验项目
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II JB/T11611—2013
前言
本标准按照GB/T1.12009给出的规则起草。 本标准由中国机械工业联合会提出。 本标准由全国试验机标准化技术委员会（SAC/TC122）归口。 本标准起草单位：爱德森（厦门）电子有限公司、南昌航空大学、大亚湾核电运营管理有限责任公
司、国核电站运行服务技术公司、青岛华测检测技术有限公司、辽宁仪表研究所、装甲兵工程学院、中科院金属研究所、空军装备研究院航空所、硕德（北京）科技有限公司、深圳国技仪器有限公司。
本标准主要起草人：林俊明、任吉林、王琪、叶琛、郭冰、李洪国、董世运、蔡桂喜、雷洪、香勇、 李寒林、张力。
本标准为首次发布。
III JB/T11611—2013
无损检测仪器涡流-磁记忆综合检测仪
1范围
本标准规定了数字式涡流-磁记忆综合检测仪（以下简称仪器）的术语和定义、要求、检验方法、 检验规则和标志、包装、运输和贮存等内容。
本标准适用于数字式涡流-磁记忆综合检测仪。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T191--2008包装储运图示标志 GB/T2611—2007试验机通用技术要求 GB/T12604.6无损检测术语涡流检测 GB.T12604.10无损检测术语磁记忆检测 JB/T6147-2007试验机包装、包装标志、储运技术要求 JB/T 93291999 仪器仪表运输运输贮存基本环境条件及试验方法
3术语和定义
GB/T12604.6、GB/T12604.10界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
涡流-磁记忆综合检测技术eddycurrentandmagneticmemoryintegratedtestingtechnique 具有涡流与磁记忆检测能力，具备一体化软硬件结构，对获取的测试数据实现资源共享和综合处理
的技术，称为涡流-磁记忆综合检测技术。 3.2
相位线性 phase linearity 涡流检测的相位线性表示输出分量相位角与输入信号相位角两者间差值的稳定性。输入0°～360°
变化范围的相位角度时，在输出端获取输入-输出最大线性偏差。
4要求
4.1正常工作条件
仪器在下列条件下正常工作： a）环境温度-25℃～55℃； b）相对湿度不大于80% c）电源电压在（220土22）V以内； d）电源频率为（50士1）Hz。 JB/T11611—2013
4.2 基本参数 4.2.1 1涡流检测基本参数
涡流检测基本参数如下： a）工作频率范围； b）通道数； c）增益； d）相位； e）显示方式。
4.2.2磁记忆检测基本参数
磁记忆检测基本参数如下： a）磁场测量相对误差； b）位置测量相对误差； c）测量范围； d）测量通道数量； e）增益； f）显示方式； g）位置测量分辨力。
4.3 3功能要求 4.3.1涡流检测 4.3.1.1 频率
涡流检测工作频率范围至少在100Hz～2MHz，频率宜连续可调，最大频率偏差应小于1% 4.3.1.2 2通道数
涡流检测至少具有一个物理通道，宜具有2个或以上的物理通道数， 4.3.1.3相位
涡流检测应至少具有360°相位旋转功能，连续可调，步长不大于1°。应具有手动或自动相位、 幅度测量功能。 4.3.1.4增益
涡流检测增益范围应不小于50dB。宜具有X-Y增益比调节功能 4.3.1.5显示方式
涡流检测应至少具有时基扫描和阻抗平面图矢量两种涡流检测信号的显示方式，如图1a)、1b）所示。推荐仪器具有带刻度标识的检波前基频信号波形显示功能，如图1c）所示。 4.3.1.6灵敏度
用选定的检测探头应能使标准试块上0.5mm深人工缺陷的信号幅度达到全屏。参见附录A。相位线性相位最大线性示值偏差应不大于0.5°。
2 JB/T11611—2013
X1- Y
a）时基扫描显示
b）阻抗矢量显示图1涡流检测显示方式示意图
c）基频信号波形显示
4.3.1.7相位线性
相位最大线性示值偏差应不大于0.5° 4.3.1.8增益准确度
增益标称值与测量值间的最大线性偏差应不大于1dB。 4.3.1.9最大激励电压
最大激励电压是指当发生器输出不加载荷且将其输出电压调整到最大时的峰-峰值电压，该电压应不小于5V。 4.3.2磁记忆检测 4.3.2.1磁场测量相对误差
磁记忆检测的磁场测量的相对误差应不大于5%。 4.3.2.2位置测量相对误差
磁记忆检测的位置测量的相对误差应不大于5%。 4.3.2.3磁场测量范围
磁记忆检测的磁场测量范围至少为土1000A/m。 4.3.2.4噪声
磁记忆检测的噪声应不大于5A/m。 4.3.2.5通道数量
应至少具有2个检测通道。 4.3.2.6背景磁场抑制
磁记忆检测应具有抑制背景磁场干扰的功能。 4.3.2.7校准
磁记忆检测应具有利用大地磁场校准探头的功能
3 JB/T11611—2013
4.3.2.8增益
磁记忆检测的增益范围应不小于50dB。 4.3.2.9 显示方式
磁记忆检测应至少具有时基扫描显示方式，如图2a）所示。推荐仪器具有阴影显示方式及叠合显示方式，如图2b）、2c）所示。
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c）叠合显示
a）时基显示
b）阴影显示
图2磁记忆显示方式
4.3.2.10位置分辨力
磁记忆检测传感器的位置分辨力应不低于1mm， 4.3.3综合检测要求
仪器应具有涡流检测信号与磁记忆检测信号同时检测、综合处理、同屏显示功能，如图3所示。必要时，应具有补偿涡流探头与磁记忆探头位置差别的能力。 4.3.4通用要求 4.3.4.1外观质量
仪器的外观质量要求应符合GB/T2611一2007中第10章的规定。 4.3.4.2 耐温耐湿性能
仪器按表1规定的参数进行耐温耐湿试验，试验后各项性能指标应满足要求。
表1耐温耐湿试验参数温度试验
湿度试验
低温试验
高温试验
试验温度 保持时间 升温速度 试验温度 保持时间 降温速度 相对湿度 保持时间
C/min ≤1
℃ 25 ±3
C/min ≤1
% 80
℃ 55 ±3
h 8
h 24
h 8
4.3.4.3 运输试验
仪器在包装后应符合表2中规定的各项运输试验。试验后仪器的各项性能指标应满足要求。
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