
ICS 17.100 N 11
中华人民共和国国家标准
GB/T28855--2012
硅基压力传感器
Silicon-based pressure sensors
2013-02-15实施
2012-11-05发布
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会 发布
中华人民共和国
国家标准硅基压力传感器 GB/T28855—2012
中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013) 北京市西城区三里河北街16号(100045)
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开本880X12301/16印张2 :字数55千字 2013年3月第一版 2013年3月第一次印刷
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书号:155066·1-46293
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GB/T28855—2012
目 次
前言 1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 4分类与命名
4.1分类 4.2型号命名与图形符号 5基本参数 5.1测量范围 5.2工作温度范围 5.3 补偿温度范围 5.4 被测介质的类型 5.5 与被测介质相接触的材料 5.6 激励 6 要求 6.1 产品技术条件(详细规范) 6. 2 外部连接性能 6.3 电气性能 6.4 静态性能 6.5 稳定性 6. 6 温度影响 6.7 过载 6.8 静压影响 6. 9 动态性能 6.10 环境性能· 6.11 疲劳寿命· T
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2
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T
- 电电
试验方法 7.1 环境条件 7. 2 试验前准备 7. 3 外部连接性能 7. 4 电气性能 7. 5 静态性能 7. 6 稳定性…· 7.7 温度影响 7. 8 过载· 7. 9 静压影响
10 11 11 11
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GB/T28855——2012
7.10 动态性能 7.11 环境性能 7.12 疲劳寿命 8 检验规则· 8.1检验分类 8.2出厂检验 8.3型式检验· 9标志、包装、运输及贮存 9.1产品标志 9.2包装、运输及贮存附录A(规范性附录) 传感器性能指标的计算方法 A.1 实际工作特性 A.2参比工作直线 A.3满量程输出(Yrs) A.4 非线性(S) A.5 迟滞() A.6 重复性() A.7 准确度()
12 13 15 15 15 15 17 18 18 18 20 20 20 21 22 22 22 23 25 25 25 25 25 26
A.8 零点漂移(d.) A.9 零点长期稳定性(r.) A.10 满量程输出漂移(rr) A.11 热零点漂移(α) A.12 热满量程输出漂移(β) A.13 振动对传感器零点影响(Z.)
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GB/T 28855—2012
前 言
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由中国机械工业联合会提出。 本标准由中国机械工业联合会归口。 本标准起草单位:沈阳仪表科学研究院、传感器国家工程研究中心、国家仪器仪表元器件质量监督
检验中心、昆山双桥传感器测控技术有限公司、大连理工大学、中国电子科技集团公司第49研究所、北京鑫诺金传感技术有限公司、北京瑞普恩德斯豪斯仪表有限公司、南京沃天科技有限公司、中国仪器仪表协会传感器分会、中国仪器仪表学会仪表元件分会。
本标准主要起草人:徐淑霞、刘沁、徐秋玲、于振毅、张治国、唐慧、殷波、王冰、唐祯安、陈信琦、 王文襄、郭宏、宁宁、李延夫、高峰。
GB/T28855—2012
硅基压力传感器
1范围
本标准规定了硅基压力传感器(以下简称传感器)的术语和定义、分类与命名、基本参数、要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输及贮存。
本标准适用于硅基压力传感器。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T191—2008包装储运图示标志 GB/T2423.1—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法试验A:低温 GB/T2423.2—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法试验B:高温 GB/T2423.3—2006 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法试验Cab:恒定湿热试验 GB/T2423.5—1995 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法·试验Ea和导则:冲击 GB/T2423.10—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法试验Fc:振动(正弦) GB/T2423.15-2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法试验Ga和导则:稳态加速度 GB/T2423.16—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验J及导则:长霉 GB/T2423.17-2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Ka:盐雾 GB/T2423.22—-2002 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验N:温度变化 GB/T2829—2002 周期检验计数抽样程序及表(适用于对过程稳定性的检验) GB/T7665—2005 传感器通用术语 GB/T7666—2005 传感器命名法及代码 GB/T14479 传感器图用图形符号 GB/T17626.1--2006电磁兼容试验和测量技术抗扰度试验总论 GB/T18459—2001 传感器主要静态性能指标计算方法 JJG624—2005 动态压力传感器
3术语和定义
GB/T7665--2005界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3. 1
硅基压力传感器silicon-basedpressuresensors 以硅或硅复合材料为基本材料,由能独立实现压力测量功能的敏感器件(或组件)构成的传感器。
4分类与命名
4.1分类 4.1.1传感器输出信号类型
传感器按输出信号类型可分为:
GB/T28855—2012
a) 模拟信号:
电压信号;一电流信号;电容信号;频率信号。
b)数字信号。 4.1.2传感器感受压力的类型
传感器按感受压力类型可分为:
表压传感器;绝压传感器;差压传感器。
4.2型号命名与图形符号
传感器型号命名应符合GB/T7666一2005的规定。 传感器的图形符号应符合GB/T14479的规定。
5基本参数 5.1测量范围
除另有规定外,传感器测量范围宜从下列数值中选取: 0,±1×10*,±1.6×10",±2×10",±2.5×10",±3×10",±4×10”,±5×10",±6×10*,
±8×10*。
其中n为整数,n=0,1,士2,士3,.. 测量范围的单位为:帕(Pa)、于帕(kPa)、兆帕(MPa)、吉帕(GPa)。
5.2工作温度范围
除另有规定外,推荐工作温度范围下限值为:一90℃,-80℃,-70℃,一60℃,一55℃,一45℃, -40℃.-30℃,-20℃,-10℃,0℃。
除另有规定外,推荐工作温度范围上限值为:50℃,60℃,70℃,85℃,100℃,125℃,150℃, 175℃,200℃,300℃,350℃,400℃,450℃,500℃,550℃,600℃。 5.3补偿温度范围
除另有规定外,推荐补偿温度范围下限值为:一55℃,一45℃,一40℃,30℃,一20℃,-10℃,0℃。 除另有规定外,推荐补偿温度范围上限值为:50℃,60℃,70℃,85℃,100℃,125℃,150℃,
200℃,250℃。 5.4被测介质的类型
应给出与压力腔接触的介质类型:气体、液体、导电性介质、腐蚀性介质、非腐蚀性介质等。 5.5与被测介质相接触的材料
应给出与被测介质相接触材料的名称、牌号。
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GB/T28855—2012
5.6激励
应给出传感器的激励电源,包括额定激励电压(电流)和最大激励电压(电流)。
6要求
6.1产品技术条件(详细规范)
应制定符合本标准要求的产品技术条件(详细规范)。 传感器应符合产品技术条件(详细规范)规定的所有要求。
6.2外部连接性能 6.2.1外观
传感器的外观应无目视可见的瑕疵、锈蚀和损伤,螺纹部分应无毛刺,标志应清晰完整、准确。 6.2.2外形及安装尺寸
传感器的外形及安装尺寸应符合产品技术条件(详细规范)的规定。 6.2.3电气连接
传感器的电气连接方式应符合产品技术条件(详细规范)的规定。 6.2.4重量
传感器重量应符合产品技术条件(详细规范)的规定。 6.3电气性能 6.3.1输入阻抗(传感器内阻)(适用时)
传感器输入阻抗(传感器内阻)应符合产品技术条件(详细规范)的规定。 6.3.2输出阻抗(适用时)
传感器输出阻抗应符合产品技术条件(详细规范)的规定。 6.3.3绝缘电阻(适用时)
传感器绝缘电阻应符合产品技术条件(详细规范)的规定。 6.3.4绝缘强度(介质耐电压)(适用时)
传感器绝缘强度应符合产品技术条件(详细规范)的规定。 6.4静态性能 6.4.1零点输出
传感器的零点输出应符合产品技术条件(详细规范)的规定。 6.4.2满量程输出
传感器的满量程输出应符合产品技术条件(详细规范)的规定。