您当前的位置:首页>行业标准>GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)

GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)

资料类别:行业标准

文档格式:PDF电子版

文件大小:2.84 MB

资料语言:中文

更新时间:2024-08-09 17:47:52



相关搜索: 半导体 晶片 几何 评价 形态 径向 高度 边缘 二阶 导数

内容简介

GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)
上一章:GB/T 43870.2-2024 磁性材料居里温度的测量方法 第2部分:软磁材料 下一章:GB/T 14264-2024 半导体材料术语

相关文章

GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 GB/T 6616-2023 正式版 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 GB/T 26958.85-2022 产品几何技术规范(GPS) 滤波 第85部分:形态学区域滤波器 分割 GB/T 33523.1-2020 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 区域法 第1部分:表面结构的表示法 GB/T 41780.1-2022 物联网 边缘计算 第1部分:通用要求 GB/T 4604.1-2012 滚动轴承 游隙 第1部分:向心轴承的径向游隙 GB/T 28279.1-2012 滑动轴承 稳态条件下带回油槽流体静压径向滑动轴承 第1部分:带回油槽油润滑径向滑动轴承的计算 GB/T 28278.1-2012 滑动轴承 稳态条件下不带回油槽流体静压径向滑动轴承 第1部分:不带回油槽油润滑径向滑动轴承的计算