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JC/T 2018-2010 高能粒子探测用掺铊碘化铯晶体

资料类别:行业标准

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推荐标签: 晶体 jc 粒子 探测 高能 高能 探测 碘化铯

内容简介

JC/T 2018-2010 高能粒子探测用掺铊碘化铯晶体 ICS27.120.01 F 88 备案号:30035-2011
JC
中华人民共和国建材行业标准
JC/T2018—-2010
高能粒子探测用掺铊碘化艳晶体
Thallium doped cesium iodide crystal for high-energy particles detection
2011-0301实施
2010-1122发布
中华人民共和国工业和信息化部发布 JC/T2018—2010
前言
本标准按照GB/T1.1--2009给出的规则起草。 本标准由中国建筑材料联合会提出。 本标准由全国工业陶瓷标准化技术委员会(SAC/TC194)归口。 本标准起草单位:中国科学院上海硅酸盐研究所、上海硅酸盐研究所中试基地本标准起草人:任国浩、李焕英、陈晓峰、薛炫萍。 本标准为首次制定
1 JC/T2018—2010
高能粒子探测用掺碘化艳晶体
1范围
本标准规定了高能粒子探测用掺铊碘化艳晶体的技术要求、检测方法、检验规则及包装、标志、运输和贮存。
本标准适用于高能粒子探测用长尺寸(150mm≤晶体长度≤350mm)掺铊碘化艳晶体。 2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T12564一2008光电倍增管总规范 GB/T13181--2002闪烁体性能测量方法 GB/T191包装储运图示标志
3术语和定义
下列术语和定义适用于本标准。
3. 1
相对光输出lightoutput 被测晶体的光输出与标准样品的光输出的比值,称为相对光输出。 本标推中,相对光输出是在相同的测量条件下,被测晶体的脉冲幅度与标准样品的脉冲幅度之比,
通常用L表示。表达式如式(1)所示:
1>vi
相对光输出(L): n X100%
(1)
Vs
式中:
v
在相同测量条件下的同次测量中,同一只产品所有检测点的脉冲幅度算术平均值,可用V表示;在与产品相同的测量条件下,标准样品的脉冲幅度。
Vs
Vs
3. 2
发光不均匀性non-uniformityof lightoutput 在晶体的制备过程中,由于激活剂沿闪烁体生长方向存在不均勾分布现象,造成光输出在闪烁体的
不同部位存在一定的差异,这种现象被称为发光不均匀性。表达式如式(2)所示:
发光不均勾性(U) Ym=Vm ×100%
(2)
V.ve
式中: Vmax 一在相同测量条件下的同次测量中,同一产品的所有检测点中出现的脉冲幅度最大值; Vmin 一在相同测量条件下的同次测量中,同一产品的所有检测点中出现的脉冲幅度最小值; Vavr 一在相同测量条件下的同次测量中,同一产品的所有检测点的脉冲幅度算术平均值。 JC/T 20182010 3. 3
辐照损伤radiationdamage 晶体在长期接受大剂量射线(如质子、中子、电子、H介子、-射线或来自粒子加速器、核反应堆和宇
宙射线的其他粒子等)辐照之后会导致晶格上的原子、离子或电子偏离其平衡位置而形成各种复杂的色心,表现为晶体着色、透光率下降、光输出降低等,这种现象称为辐照损伤。 3. 4
辐照硬度:radiationhardness 晶体抵抗辐照损伤的能力被称为辐照硬度。通常以晶体辐照前后透光率下降或者光输出的下降幅
度作为评价闪烁体辐照硬度的指标。
本标准中,采用辐照前后光输出的下降幅度表征产品的辐照硬度,表达式如式(3)所示:
LBR LAR ×100%
辐照硬度(R)=
(3)
LBR
式中: LIBR 辐照前,产品的相对光输出;
辐照后,同一产品在相同的测量条件下的相对光输出。
LAR 3.5包裹体Inclusions
晶体中出现的组分或者结构异于基质的生长缺陷,通常可分为固态包裹体和气态包裹体。 4技术要求 4.1外观质量
外观质量应满足表1中的要求。
表1CsI(TI)晶体产品的外观质量
缺陷类型颜色划痕、崩口包裹体
质量要求无色无
单个包裹体的最大直径小于3mm,每立方厘米内肉眼可见颗粒数小于3个,整根晶体中,目视可见包裹体数小于10个裂纹总数量应少于4条,其中单个裂纹的长度小于10mm,深度小于3mm,且距晶体大端面80 mm范围内,目视无裂纹
裂纹
4.2表面粗糙度
出光面的表面粗糙度Ra≤0.02um。其余面的表面粗糙度Ra<0.2μm。 4.3尺寸公差
横向部分尺寸公差为一200um~0,长度方向尺寸公差为士1mm。 4.4相对光输出
与标准样品相比,产品的相对光输出应大于33%。 注:标准样品的选择见附录A。
4.5发光不均匀性
每个产品的发光不均匀性应小子7%。 4.6辐照硬度
样品经°Co源辐照后,辐照硬度应小于5%。
2 JC/T2018—2010
注:辐照累积剂量为100Rad,剂量率应小于20Rad/h;辐照后,样品需要在暗室中放置14d。 5检测方法 5.1外观质量用目测法检测,包裹体尺寸和裂纹长度用直尺(精度:0.5mm)检测。 5.2表面粗糙度用粗糙度仪(精度:0.01um)检测。 5.3尺寸公差检测 5.3.1检测环境条件
温度20℃~25℃,相对湿度20%~40%。 5.3.2检测工具
测量台(精度:0级)、正弦规(精度:0级)、百分表(精度:0.01mm)、角尺(精度:0级)和万能角度尺(精度:2')。 5.3.3检测方法 5.3.3.1以铝合金标准样块为参考依据进行对比检测。
注:铝合金标准样块是根据每个系列号晶体的机械加工图,采用6061型铝一镁一硅合金并以1:1比例制作的标准样块,其尺寸公差为横向部分:5um~0,长度方向:土10um。 5.3.3.2把铝合金模块放在正弦规上,调节好角度,百分表清零,然后把加工好的产品按相同的方位放置在正弦规上,在百分表上读出相对公差。 5.3.3.3用角尺或者万能角度尺来检验产品的角度。 5.4光输出检测 5.4.1检测原理
参照GB/T13181—2002中5.1.1的规定。 5.4.2检测装置
参照GB/T.131812002中4.2和5.1.2的规定。 5.4.3检测条件 5.4.3.1房间内使用白炽灯,以避免紫外光对晶体性能的影响。 5.4.3.2环境温度20℃±2℃,相对湿度20%~40%。 5.4.3.3微分常数是0.5μs,积分常数是0.5uS,成形时间是1us。 5.4.3.4其他检测条件参照GB/T12564--2008中5.1的规定。 5.4.4检测步骤 5.4.4.1检测前,产品要预先在真空烘箱中退火(升温3h,在180℃保温5h,然后自然降至室温)。退火后应避光存放,不允许接受任何紫外光或其他高能粒子的照射。 5.4.4.2检测标准样品的脉冲幅度谱,确定对应全能峰的脉冲幅度。 5.4.4.3产品预先用两层人造纤维纸(TYVEK-1025D)反射材料包覆,保留出光面裸露,巨出光面要紧靠光电倍增管光窗,二者之间保持空气耦合(大约有0.3mm的空气缝隙)。 5.4.4.4137Cs放射源放置在壁厚为2cm的单孔铅准直器内,铅准直器的孔径10mm,准直后形成照在产品表面的直径不超过10mm的圆斑。铅准直器放置在移动架上,调节移动架的位置,保持放射源距离产品侧面约3cm。在手动控制下,移动架能够沿产品的长轴方向平移,移动精度为0.1mm。 5.4.4.5从出光面开始,沿长轴方向依次检测。起始点(S)距离出光面2cm,然后每隔3cm作为一个检测点,编号依次为S2、S....S.,直至剩余长度小于3cm为止。 5.4.4.6检测并记录每个检测点对应的脉冲幅度。每个产品检测一遍。 5.5发光不均匀性的计算
用5.4.4.6中得到的各检测点的脉冲幅度,按式(2)计算其发光不均匀性。 5.6辐照硬度检测
3
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