编译者前言 本书是《超大规模集成电子学 微结构科学》的第四册， 全书共六章，内容可分为两个方面:一是讨论超大规模集成 电路（VLSI）按比例缩小的MOS和双极型工艺技术，如光 刻、薄栅氧化、激光直接加工等；二是讨论提高VLSI性能的 各种限制因素，并从原理上分析了 VLSI中的噪声问题. 本书第一章“VLSI按比例缩小的MOS和双极工艺技 术、分别以静态存贮器和fL微处理器为MOS和双极型电 路的中间产品，讨论了 LSI缩小到VLSI密度时.MOS和 双极型电路各会碰到什么问题.第二章“对VLSI制造中先 进光刻设备的评价"，从VLSI对光刻要求的技术特点（如分 辨率、对中、生产能力等）出发，详细讨论并比较了光学光刻、 电子束光刻、X射线光刻的优缺点和适用范围,指出了使用混 合式光刻是VLS【电路制造的必然趋势.第三章“VLSI的激 光直接加工”，从VLSI工艺发展的需要出发，讨论了激光腐 蚀、淀积、掺杂及激光加工设备，介绍了激光加工的初步应用. 第四章“用于VLSI的超薄栅介质工艺”，从薄短化层的漏电、 击穿、缺陷等几个方面讨论了超薄栅玺化层的性质以及VLSI 工艺对介质的影响，并从不同器件的不同要求出发讨论了薄 栅介质.第五章“提高硅集成电路性能的限制”，从物理、.工 艺、复杂性三方面详细讨论了提高VLSI电路性能的各种限 制因素，研究了 VLSI发展的极限.第六章“VLSI中的噪 声"，分析了 VLSI电路中的各种噪声源，讨论了 VLSI中噪 声的影响及a射线引起的软失效问题.