本书是《超大规模集成电子学微结构科学》的第二册. 全葩共六章，内容可分为两部分.第一部分主要是讨论用于 超大规模集成电路中的一些器件和介质材料的特征、电学性 质和物理限制；第二部分主要讨论用于超大规模集成电路中 的外延硅等材料的特性检测与分析. 第一章“超高速碑化镣超大规模集成电路：途径、僧力和 进展”译自原书第三卷，文中在介绍了碑化镣器件的优越性之 后，重点阐述并比较了用于超高速超大规模集成电路中的碑 化镣器件的各种实现途径，包括绝缘栅场效应晶体管、超高速 迁移率器件、异质结双极型晶体管和肖特基二极管场效应晶 体管逻辑电路等，介绍了各种有效的碑化镣平面工艺,并分析 了成品率问题.第二章“用于超大规模集成电路和超高速集 成电路中的绝缘体上硅膜"译自原书第四卷，文中详细介绍了 绝缘体上硅膜的发展历史和现状，并介绍了绝缘体上硅膜的 形成技术及其在超大规模和超高速集成电路中的应用.第三 章“介质膜的特性''译自原书第六卷，文中讨论了引起器件特 性偏离理想器件预期性能的机理，探讨了介质材料的结构、性 质与这些机理的关系.第四章“器件性能的量子力学极限”译 自原书第五卷，文中从物理学角度分析了逻辑器件性能的基 本限制，探讨了与工艺无关的量子力学极限，并重点讨论了每 个逻辑操作的最小功耗问题.第五章“硅外延膜的特性表征“ 译自原书第六卷