目 录
第一章 MOS型大规模集成电路的催造技术..........1
L引言........................L
n.电路复杂性的发展.................3
III-硅片表面水平方向的尺寸控制...........6
A.    现有的能力.................7
B.    接触复印或近接触复印............7
C.    投影复印................L，）
D.    在硅片上宣接分步尊复的投影复门.......门
E.    电子束曝光.................11
F.    X践曝光..................12
G.    光致抗蚀剂................13
H.    成象的评价................14
I.    图形的成定（P砒tern dofiaition） .15
IV.    硅片深度方向的尺寸控制............17
A,    氧化层...................W
B.    化学汽相淀积...............1。
C.    源-漏区摻杂.............. 20
D,    电学互连.................22
V.    工艺流程的定标和工艺控制.............
A.    受眺陷限制成成品率.............
B.    工艺控制.................29
VI.    材料.....................30
A.硅材料...................30
B-光掩模版..................36
VII.    制造工艺用的设备和条件...........38
VIII.    总结...................42
参考文献.......................44