本书对半导体缺陷这一非常重要的领域作了深入全面的 论述，是半导体缺陷电子学方面的一本权威性专著.书中介 绍了各种缺陷.井着重对半导体中位错的电学、光学、力学性 质及载流子输运性质进行了具体、深入的论述.本书还介绍 了位错的控制生长以及轶陷在器件制造中的应用.利用位错 和其它缺陷可以改遥半导体器件的性能，并能制造某些特殊 性能的器件.缺陷的研究对解决半导体研究中的一些疑难间 題，以及寻找和制造新性能的器件都有着广陶的前景.所以. 本书对我国半导体的研究、生产和敎学都有较大的参考价。