集成电路的制造工艺水平基本按照摩尔定律不断提高，这种发展给集成电路的设计带来了很 多新的变化本书就是全面介绍深亚微米数字集成电路设计技术的一本优秀教材。书中以半导体 器件物理的内容为基础.逐歩阐述了深亚微米工艺中数字IC设计的关键问题’其内容包括器件 模型利公式、基本门电路、静态与动态电路形式、存储器设计，互连线产牛的效应和芯片中电源 网格与时钟的分布等 介绍了最新的CMOS制造T艺以及相关的器件模型书中的讨论主要是基 于0.18"m和0.13"m CMOS工艺进行的.突出了深亚微米工艺中互连线带来的新问题及其对设 计的影响此外.还强调了 SPICE模拟工具在电路设计中的应用，
本书内容丰富全面.共分为11章，第1章是对深亚微米时代数字设计技术的透视.由此引 出了随后各章的主题 第2章引入后面各章要用到的短沟道器件模型：第3章探讨集成电路设计 过程中的制造、版图和模拟之间的关系。第4章介绍MOS数字反相器.引入了电压传输特性、 噪声容限、反相器结构和简单时序计算、功耗计算的相关概念.第5章研究静态NAND门、NOR 门和其他复杂门的设计问题，第6章探讨高速逻辑设计中涉及的相关问题.为阶跃输入和斜坡输 入的转变延迟狀建立了非常有用的公式，第7章讨论利用传输门和预充电逻辑的动态电路设计 技巧.第8章论述半导体存储器的分析和设计，第9章探讨几种其他半导体存储器的体系结构、 存取机制和单元构造,第10章深入研究深亚微米工艺中IC设计师所面临的互连问题、.第11章 讨论两个受互连控制的芯片级设计问题，即电源系统分配和时钟分配.、此后.附录A简要介绍了 电路模拟.工具SPICE的使用、附录B介绍了双极晶体管和电路. 本书反映了深亚微米数字集成电路设计技术的发展，可作为高等院校微电广、计算机、电子工程等专业本科生和研究生的教材和参考书.也可供从事相关领域工作的技术入员参考.我们将 之翻译出来，希望能对国内相关领域的教学、科研和产业有一定帮助.